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J-GLOBAL ID：202202259774165340   整理番号：22A0430744

ペロブスカイト/ホール輸送層界面のペロブスカイトおよび価電子帯オフセットの単一バンドギャップ勾配の太陽電池性能への理論的影響【JST・京大機械翻訳】

Theoretical impacts of single band gap grading of perovskite and valence band offset of perovskite/hole transport layer interface on its solar cell performances

著者 (6件)： Kawano Yu (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Chantana Jakapan (Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Negami Takayuki (Research Organization of Science and Technology, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Nishimura Takahito (Ritsumeikan Global Innovation Research Organization, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Mavlonov Abdurashid (Ritsumeikan Global Innovation Research Organization, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Minemoto Takashi (Department of Electrical and Electronic Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Nojihigashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 231  ページ： 684-693  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペロブスカイト太陽電池(PSCs)のペロブスカイト/正孔輸送層(HTL)界面のCH_3NH_3(Sn_xPb_1-x)(I_1-yBr_y)_3ペロブスカイトと価電子帯オフセット(VBO)における単一バンドギャップ(E_g)勾配を理論的に精査した。前面と背面でのEg値は,それぞれ,光入射側と背面でのペロブスカイトのEg値として定義され,それは,異なるEg-傾斜のSnとBr組成に基づいて,1.10eVから1.80eVに変わる。最適化した単一Eg-傾斜(フロント/バックで1.47/1.33eV)は,広い太陽スペクトルの有効利用と電荷分離を促進する方向における電場の形成のため,電池性能の向上をもたらすことを明らかにした。さらに,2.5μmの最適キャリア拡散長と0.75μmのペロブスカイト厚さは,26.0%の最高電力変換効率をもたらした。1.47eVの前面Egと1.33eVの逆EgのバックのCH_3NH_3(Sn_0.38Pb_0.62)I_3の前面のCH_3NH_3(Sn_0.07Pb_0.93)I_3を,最適化単一Eg-グラデイングのために示唆した。さらに,最適化されたVBOは,セル性能を改善するためにEg-グラデーションに関係なく-0.1eVから+0.2eVの範囲であった。結果は,HTLとしてのPEDOT:PSS,Spiro-OMeTAD,およびPTAAが,CH_3NH_3(Sn_xPb_1-x)I_3系PSCに最終的に適しているが,HTLとしてのNiO_xとCuO_xは,CH_3NH_3(Sn_xPb_1-x)I_3とCH_3NH_3Pb(I_1-yBr_y)_3ベースPSCに適していることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  最適化 ,  *太陽 ,  *太陽電池 ,  電場 ,  臭素 ,  スズ ,  スペクトル ,  *価電子バンド ,  キャリア拡散 ,  電荷分離 ,  *バンドギャップ
準シソーラス用語： 電力変換効率 ,  正孔輸送層 ,  ペロブスカイト太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 太陽電池 ,  ペロブスカイト ,  デバイスシミュレーション ,  バンドギャップ等級づけ ,  価電子帯オフセット

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (11件)： ペロブスカイト ,  ホール ,  輸送 ,  界面 ,  価電子帯 ,  オフセット ,  バンドギャップ ,  勾配 ,  太陽 ,  電池性能 ,  理論