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J-GLOBAL ID：202202260023305188   整理番号：22A0898218

高速重イオン照射による非晶質HfO_2膜の高k相形成【JST・京大機械翻訳】

The higher-k phase formation in amorphous HfO₂ films by swift heavy ion irradiation

著者 (9件)： Li Zongzhen (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Lanzhou 730000, China) ,  Liu Jie (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Lanzhou 730000, China) ,  Zhai Pengfei (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Lanzhou 730000, China) ,  Liu Li (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Lanzhou 730000, China) ,  Liu Li (School of Nuclear Science and Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Xu Lijun (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Lanzhou 730000, China) ,  Zhang Shengxia (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Lanzhou 730000, China) ,  Hu Peipei (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Lanzhou 730000, China) ,  Zeng Jian (Institute of Modern Physics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Lanzhou 730000, China)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 585  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高k相HfO_2の生成は挑戦的で魅力的である。本研究では,純粋なHfO_2薄膜の相転移を高速重イオン(SHIs)照射によって誘導した。非晶質HfO_2膜はSHIs照射後結晶化し,イオンフルエンスの増加と共に単斜晶から立方晶/正方晶相へ変態した。堆積したままのHfO_2膜は,非化学量論状態をとり,SHIs照射下で化学量論的なものに近接した。本研究は,より高いk相HfO_2を安定化し,SHIs照射によってHfO_2とSiの間の界面を最適化するためのアプローチを提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  結晶化 ,  最適化 ,  相転移 ,  薄膜 ,  ケイ素 ,  *非晶質 ,  単斜晶系 ,  立方晶系 ,  正方晶系 ,  *重イオン照射 ,  非化学量論
準シソーラス用語： *高速重イオン ,  *高速重イオン照射 ,  イオンフルエンス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： B1.HfO_2 ,  A1 重イオン照射 ,  A1 結晶化 ,  A1 高k相

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高速重イオン照射 ,  非晶質 ,  相形成