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J-GLOBAL ID：202202260542699272   整理番号：22A0475368

RCpCo(CO)_2とアルキルアミン前駆体を用いた熱原子層蒸着による金属共膜の予備的成長【JST・京大機械翻訳】

Preliminary growth of metallic co films by thermal atomic layer deposition using RCpCo(CO)₂ and alkylamine precursors

著者 (3件)： Zhong Xuan (School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, Guangdong Province 510275, China) ,  Wan Zhixin (School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, Guangdong Province 510275, China) ,  Xi Bin (School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-sen University, Guangzhou, Guangdong Province 510275, China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 311  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ALD-金属膜は,適切な還元共反応物の欠如のため,プラズマ支援で典型的に堆積される。本研究では,シクロペンタジエニル(Cp)配位子(R=H)またはそのトリメチルシリル誘導体(R=TMS)を有するコバルト前駆体であるRCpCo(CO)_2と,熱原子層堆積(T-ALD)による金属Co膜成長のための共反応物としてのtert-ブチルアミン(tBuNH_2)の使用を提案した。Co膜の膜成長,組成及び相構造に及ぼすCo前駆体タイプ,基板タイプ及び熱処理の影響を調べた。その結果,ALD-Coプロセスは,275°Cから325°Cまで類似の温度窓を示し,Si基板上のCpCo(CO)_2から堆積したCo膜の成長速度は,約0.045nm/サイクルであり,TMSCpCo(CO)_2(0.03nm/サイクル)を用いた場合より高かった。熱アニーリングとPt基板はCo結晶の結晶化と成長を促進する。CpCo(CO)_2により成長させたALD-Co膜は,10.6μΩcmの比較的低い抵抗率とかなりの共形性を示し,顕著な応用可能性を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶化 ,  プラズマ ,  電気抵抗率 ,  コバルト ,  白金 ,  *脂肪族アミン ,  金属薄膜 ,  *前駆体 ,  薄膜成長 ,  成長速度
準シソーラス用語： *ALCVD ,  シリコンウエハ ,  熱アニーリング ,  反応物 ,  相構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 堆積 ,  薄膜 ,  Co金属 ,  RCpCo(CO)_2 ,  BuNH_2 ,  低抵抗率

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： CO ,  アルキルアミン ,  前駆体 ,  原子層蒸着 ,  成長