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J-GLOBAL ID：202202261205229746   整理番号：22A0571413

高性能耐放射線性SOI横方向パワーMOSFETにおけるシングルイベントバーンアウトの研究【JST・京大機械翻訳】

Research of single event burnout in a high-performance radiation-hardened SOI lateral power MOSFET

著者 (12件)： Wang Yue (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Wang Yue (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Wang Lixin (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Wang Lixin (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Guo Min (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Guo Min (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Chen Runze (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Chen Runze (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Wang Shixin (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Wang Shixin (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Jiang Yongchao (Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Jiang Yongchao (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 129  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,60Vの放射線硬化SOI横方向電力MOSFET(LDMOS)デバイスを提案し,デバイスの単一イベントバーンアウト(SEB)故障メカニズムをSentaurusシミュレータにより調べた。2μmドリフト領域および拡張N+ドレイン領域を有するSOI LDMOSデバイスは,最適絶縁破壊電圧(BV_DS,67V)および比オン抵抗(R_on,sp,5mΩcm2)を達成し,一方,拡張N+ドレインのないデバイスのR_sは5.6mΩcm2であった。SEBに対するデバイスの感度領域を解析し,SEBに対する最も敏感な領域はドリフト領域の中心に近い。SEB閾値電圧に対する異なる線形エネルギー移動(LET)の影響を検討し,素子は1pC/μm(96MeV/cm2/mg)のLETを有する高エネルギーイオンに対してさえ60Vのソース電圧(V_DS)バイアスに対してフルドレインで生存できる。さらに,重ドープP+領域をソース側に挿入し,ソース領域のパラメータを最適化し,デバイスのSEB耐性を改善した。SEB破壊閾値と相関するデバイスの第2絶縁破壊電圧は66Vまでであり,デバイスの優れたSEB硬度を示した。結局,デバイスのSEB破壊機構を詳細に調べ,デバイス構造固有の寄生npnバイポーラ接合トランジスタ(BJT)の動作がデバイスのSEB耐性の鍵である。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エネルギー移動 ,  最適化 ,  電圧 ,  シミュレータ ,  *MOSFET ,  *電力トランジスタ ,  ドリフト ,  ドーピング ,  素子構造 ,  バイポーラトランジスタ ,  *耐放射線性 ,  オン抵抗
準シソーラス用語： LDMOS ,  *パワーMOSFET ,  閾値電圧 ,  絶縁破壊電圧 ,  故障メカニズム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： SOI LDMOS ,  パワーデバイス ,  シングルイベントバーンアウト(SEB) ,  重イオン ,  高感度領域

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高性能 ,  耐放射線性 ,  SOI ,  横方向 ,  パワーMOSFET ,  シングルイベントバーンアウト ,  研究