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J-GLOBAL ID：202202261654138334   整理番号：22A1173132

緩衝層応用のためのスプレー堆積Mg_0.02Zn_0.98Se薄膜の構造,光学的および電気的キャラクタリゼーション【JST・京大機械翻訳】

Structural, optical, and electrical characterization of spray-deposited Mg_0.02Zn_0.98Se thin film for buffer layer application

著者 (2件)： Krishna V. S. Ganesha (Department of Physics, Manipal Institute of Technology, Manipal Academy of Higher Education, Manipal, India) ,  Mahesha M. G. (Department of Physics, Manipal Institute of Technology, Manipal Academy of Higher Education, Manipal, India)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33  号： 11  ページ： 8529-8533  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,スプレー堆積Mg_0.02Zn_0.98Se薄膜を,それらの構造的,光学的および電気的特性を決定するために特性化した。MgドープZnSe薄膜の光学バンドギャップは約3.05eVであり,可視領域で約50-70%の高い光透過率を示した。X線回折(XRD)パターンから観察したように,MgドープZnSe薄膜の結晶サイズは約8nmであった。MgドープZnSe薄膜の元素組成をX線エネルギー分散分析(EDAS)で確認した。Raman研究は,Mgの取り込みによるZnSe系におけるマイナーな歪の発達を示した。MgドープZnSe膜の抵抗率は,8.2×1011cm-3のキャリア濃度で,約3.82ohm-mであった。Mg_0.02Zn_0.98Se薄膜は,比較的毒性のCdS層を置換できる太陽バッファ層に不可欠な高い透明性と伝導率のような有望なオプトエレクトロニクス特性を示した。Copyright The Author(s) 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  化学組成 ,  電気抵抗率 ,  *薄膜 ,  エネルギー ,  電気的性質 ,  *マグネシウム ,  硫化カドミウム ,  ドーピング ,  キャリア密度 ,  オプトエレクトロニクス ,  セレン化亜鉛 ,  *バッファ層 ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： 可視領域 ,  元素組成 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 緩衝層 ,  応用 ,  スプレー ,  堆積 ,  薄膜 ,  光学 ,  キャラクタリゼーション