電気Bias下のハイブリッド磁気トンネル接合における室温トンネル磁気抵抗の増強【JST・京大機械翻訳】

Gonzalez-Ruano Cesar; Tiusan Coriolan; Tiusan Coriolan; Tiusan Coriolan; Hehn Michel; Aliev Farkhad G.

文献

J-GLOBAL ID：202202261677592158 整理番号：22A0465256

電気Bias下のハイブリッド磁気トンネル接合における室温トンネル磁気抵抗の増強【JST・京大機械翻訳】

Boosting Room Temperature Tunnel Magnetoresistance in Hybrid Magnetic Tunnel Junctions Under Electric Bias

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資料名：
巻： 8 号： 1 ページ： e2100805 発行年： 2022年
JST資料番号： W2482A ISSN： 2199-160X 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

スピン分解電子対称性フィルタリングは,Fe/MgO/Feおよび類似の磁気トンネル接合(MTJ)における巨大トンネル磁気抵抗(TMR)の背後にある重要な機構であり,スピンエレクトロニクスにおける室温機能性を提供する。しかし,電子対称性フィルタリングは印加バイアス下で破壊し,TMRを0.5V以上で劇的に低減した。これはMTJの応用範囲を強く妨げる。問題を回避するために,薄層の量子井戸状態による共鳴トンネリングがこれまで用いられてきた。しかし,この機構は低温で主に有効である。ここでは,V/MgO/Fe/Coハイブリッドにおける印加バイアス下で強いTMRブーストを提供する,基本的に異なるアプローチを示した。この経路は,バナジウム中のスピン軌道結合(SOC)制御界面状態を用い,V(001)バルク状態とは反対に,低バイアスでFe(001)にトンネルができた。バイアスによるTMRの実験的に観察された強い増加は,SOC制御界面状態によってブーストされる第1(V/MgO/Fe)元素の低いバイアスコンダクタンスで,直列の2つの非線形抵抗を用いてモデル化され,一方,第2(Fe/MgO/Fe)接合のコンダクタンスは,強磁性層の相対的整列によって制御された。これらの結果は,印加された電気バイアス下で隆起したトンネル磁気抵抗を有する,未探索で基本的に異なるスピントロニクスデバイススキームの道を開く。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

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著者キーワード (4件)： , , ,

金属-絶縁体-金属構造 , 界面の電気的性質一般

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