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J-GLOBAL ID：202202262489006217   整理番号：22A1081566

選択的CO_2還元のための二金属単層電極触媒に関するスケーリング関係の回避【JST・京大機械翻訳】

Circumventing the scaling relationship on bimetallic monolayer electrocatalysts for selective CO₂ reduction

著者 (2件)： Zhao Zhonglong (School of Physical Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, China) ,  Lu Gang
資料名： Chemical Science (Web)  (Chemical Science (Web))
巻： 13  号： 13  ページ： 3880-3887  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7042A  ISSN： 2041-6539  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CO_2の付加価値化学物質への電気化学的転換は,再生可能エネルギー応用への興味を引く。多くの金属触媒はCO_2還元反応(CO_2RR)において活性であるが,それらの反応性と選択性は競合水素発生反応(HER)によって妨げられない。HERとCO_2RRの競合はそれらの反応中間体間のエネルギースケーリング関係から生じる。ここでは,二金属単層電極触媒(BMEs)-拡張金属基質上の遷移金属の単分子層が,HERとCO_2RR中間体の吸着エネルギー間のスケーリング関係を回避する二重機能活性部位を生成することを予測した。吸着Hと金属基板の間の反結合相互作用が,スケーリング関係を回避することの原因であることを明らかにした。広範な密度汎関数理論(DFT)計算に基づいて,著者らは,非常に抑制されたHERを有するギ酸の生成に対して高活性で選択的である11のBMEを同定した。H-基質反結合相互作用も単層被覆ペンタ双晶ナノワイヤ上の優れたCO_2RR性能をもたらした。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *還元 ,  吸着 ,  遷移金属 ,  相互作用 ,  双晶 ,  被覆 ,  単分子層 ,  活性部位 ,  計算 ,  *電極触媒 ,  密度汎関数法 ,  金属触媒 ,  中間体 ,  ナノワイヤ ,  脂肪族カルボン酸

分類 (5件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  八員環以上の複素環化合物  (CF07120T) ,  有機ほう素化合物  (CF08020R) ,  酸化,還元  (CF02060T) ,  その他の触媒  (CB06123Z)

物質索引 (1件)： ギ酸

タイトルに関連する用語 (5件)： 還元 ,  単層 ,  電極触媒 ,  スケーリング ,  回避