文献

J-GLOBAL ID：202202262590051897   整理番号：22A0694702

マグネトロンスパッタリングにより堆積したMg_3Bi_2薄膜のエピタキシャル成長と熱電特性【JST・京大機械翻訳】

Epitaxial growth and thermoelectric properties of Mg₃Bi₂ thin films deposited by magnetron sputtering

著者 (8件)： Sadowski Grzegorz (Thin Film Physics Division, Department of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoping University, Linkoping SE-581 83, Sweden) ,  Zhu Yongbin (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, Guangdong 518055, China) ,  Shu Rui (Thin Film Physics Division, Department of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoping University, Linkoping SE-581 83, Sweden) ,  Feng Tao (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, Guangdong 518055, China) ,  le Febvrier Arnaud (Thin Film Physics Division, Department of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoping University, Linkoping SE-581 83, Sweden) ,  Music Denis (Department of Materials Science and Applied Mathematics, Malmo University, Malmo SE-205 06, Sweden) ,  Liu Weishu (Department of Materials Science and Engineering, Southern University of Science and Technology, Shenzhen, Guangdong 518055, China) ,  Eklund Per (Thin Film Physics Division, Department of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoping University, Linkoping SE-581 83, Sweden)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 5  ページ： 051901-051901-6  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mg_3Sb_2系熱電材料は室温に近い応用に対して注目を集めている。ここでは,室温から400°Cまでの堆積温度でマグネトロンスパッタリングを用いてMg-Bi膜を合成した。単相Mg_3Bi_2薄膜を200°Cの低い堆積温度でc面配向サファイアとSi(100)基板上に成長させた。Mg_3Bi_2膜はc-サファイア上にエピタキシャル成長し,Si(100)上に繊維集合組織を形成した。c-サファイア基板に関するMg_3Bi_2膜の方位関係は,(0001)Mg_3Bi_2//(0001)Al_2O_3と[112}>0Mg_3Bi_2//[112}>0Al_2O_3であった。観察されたエピタキシーは,Mg_3Bi_2(0001)/Al_2O_3(0001)界面に対して6.92Jm-2の密度汎関数理論によって計算された分離の比較的高い仕事と一致した。Mg_3Bi_2膜は34μΩmの面内電気抵抗率と+82.5μVK-1のSeebeck係数を示し,室温付近で200μWm-1K-2の熱電力率を得た。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  界面 ,  電気抵抗率 ,  *薄膜 ,  比率 ,  繊維組織 ,  サファイア ,  マグネトロンスパッタリング ,  密度汎関数法 ,  単相 ,  熱電材料
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  熱電能 ,  サファイア基板 ,  *熱電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： マグネトロンスパッタリング ,  堆積 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  熱電特性