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J-GLOBAL ID：202202262728314547   整理番号：22A1050973

傾斜バンド構造による黒色Si太陽電池の青色応答の改善【JST・京大機械翻訳】

Improvement of blue response of black Si solar cells due to graded band structure

著者 (3件)： Onitsuka Yuya (Department of Semiconductor Materials and Processes, SANKEN (The Institute of Scientific and Industrial Research), Osaka University, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Imamura Kentaro (Department of Semiconductor Materials and Processes, SANKEN (The Institute of Scientific and Industrial Research), Osaka University, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan) ,  Imamura Kentaro (Artificial Intelligence Research Center, SANKEN, Osaka University, Ibaraki, Osaka 567-0047, Japan)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 140  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面構造化学移動(SSCT)法,特に結晶Si太陽電池の量子効率に及ぼすその効果によって作製されたナノ結晶Si(nc-Si)層のエネルギーバンド構造の特徴を調べた。nc-Si層では,Siナノ結晶のサイズは,SiがSSCT反応中に表面から不均一に溶解するので,表面に向かって減少する。nc-Si層の最外表面の価電子帯最大値はSiバルクのものより0.1-0.3eV低く,伝導バンド最小値は表面に向かって0.17-0.25eV増加した。これらの結果は,nc-Si層が,バンドギャップエネルギーが表面に向かって徐々に増加する傾斜バンド構造を有することを示した。SSCT反応条件を最適化することにより,nc-Si層の薄い厚さ(~100nm)とSiナノ結晶のより小さなサイズが得られ,急勾配のバンド構造をもたらした。急勾配バンド構造による表面領域におけるキャリア再結合速度の減少のため,300-400nm波長領域で80%以上の高い内部量子効率を得た。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  *バンド構造 ,  *太陽電池 ,  表面構造 ,  *ケイ素 ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  量子効率 ,  キャリア再結合 ,  バンドギャップ ,  ナノ結晶
準シソーラス用語： バンドギャップエネルギー ,  結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 黒色シリコン太陽電池 ,  ナノ構造シリコン ,  傾斜バンド構造 ,  バンドギャップの拡大

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： バンド構造 ,  黒色 ,  Si ,  太陽電池 ,  青色 ,  応答