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J-GLOBAL ID：202202263169892838   整理番号：22A1101591

0.18μm CMOSプロセスにおける高次温度補償によるサブ1/°Cバンドギャップ電圧基準【JST・京大機械翻訳】

A Sub-1/°C Bandgap Voltage Reference With High-Order Temperature Compensation in 0.18-μm CMOS Process

著者 (7件)： Huang Shalin (Chongqing Engineering Laboratory of High Performance Integrated Circuits, School of Microelectronics and Communication Engineering, Chongqing University (CQU), Chongqing, China) ,  Li Mingdong (Chongqing Engineering Laboratory of High Performance Integrated Circuits, School of Microelectronics and Communication Engineering, Chongqing University (CQU), Chongqing, China) ,  Li Huan (Chongqing Engineering Laboratory of High Performance Integrated Circuits, School of Microelectronics and Communication Engineering, Chongqing University (CQU), Chongqing, China) ,  Yin Peng (Chongqing Engineering Laboratory of High Performance Integrated Circuits, School of Microelectronics and Communication Engineering, Chongqing University (CQU), Chongqing, China) ,  Shu Zhou (Chongqing Engineering Laboratory of High Performance Integrated Circuits, School of Microelectronics and Communication Engineering, Chongqing University (CQU), Chongqing, China) ,  Bermak Amine (College of Science and Engineering, Hamad Bin Khalifa University, Doha, Qatar) ,  Tang Fang (Chongqing Engineering Laboratory of High Performance Integrated Circuits, School of Microelectronics and Communication Engineering, Chongqing University (CQU), Chongqing, China)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers)
巻： 69  号： 4  ページ： 1408-1416  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0226B  ISSN： 1549-8328  CODEN： ITCSCH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,高次温度補償による高精度バンドギャップ電圧基準(BGR)を提示した。補償信号は,BJTベースエミッタ電圧(V_BE)において高次非線形項Tln(T)を打ち消す強反転MOSFETと二極接合トランジスタ(BJTs)の両方を用いて生成され,従って広い温度範囲にわたる低温係数(TC)が達成される。提案したBGR回路は,0.256m{m{2}のアクティブ面積と1.35mWの最大電力消費を持つ0.18μmCMOSプロセスで製作した。-25°Cから125°Cまで0.706ppm/°Cの最小TCが8ビット抵抗トリミング後に達成された。線感度は3.2Vから3.7Vの運転で0.0146%/Vであった。BGRは,-63.4dBの電源阻止率(PSR)と10Hzで0.92ΩμV/√Hzの雑音スペクトル密度を達成した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 感度 ,  低温 ,  *電圧 ,  標準 ,  トリミング ,  MOSFET ,  *温度補償 ,  接合形トランジスタ ,  精度 ,  *バンドギャップ ,  *CMOS
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  雑音スペクトル ,  高精度 ,  ピーク電力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  電源回路  (NC05060Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOSプロセス ,  温度補償 ,  サブ ,  Cバンド ,  ギャップ