文献

J-GLOBAL ID：202202263324659546   整理番号：22A0838614

反偽造とフレキシブルX線イメージング用のBi3+ベースアフタグロー蛍光体を設計するためのBi2+からの電子解放の解明【JST・京大機械翻訳】

Unraveling electron liberation from Bi²⁺ for designing Bi³⁺-based afterglow phosphor for anti-counterfeiting and flexible X-ray imaging

著者 (6件)： Lyu Tianshuai (Xiamen Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Advanced Manufacturing, Institute of Luminescent Materials and Information Displays, College of Materials Science and Engineering, Huaqiao University, Xiamen 361021, PR China) ,  Dorenbos Pieter (Delft University of Technology, Faculty of Applied Sciences, Department of Radiation Science and Technology, section Luminescence Materials, Mekelweg 15, 2629JB Delft, the Netherlands) ,  Li Canhua (Xiamen Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Advanced Manufacturing, Institute of Luminescent Materials and Information Displays, College of Materials Science and Engineering, Huaqiao University, Xiamen 361021, PR China) ,  Li Silei (Xiamen Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Advanced Manufacturing, Institute of Luminescent Materials and Information Displays, College of Materials Science and Engineering, Huaqiao University, Xiamen 361021, PR China) ,  Xu Jian (International Center for Young Scientists (ICYS), National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Wei Zhanhua (Xiamen Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Advanced Manufacturing, Institute of Luminescent Materials and Information Displays, College of Materials Science and Engineering, Huaqiao University, Xiamen 361021, PR China)
資料名： Chemical Engineering Journal  (Chemical Engineering Journal)
巻： 435  号： P2  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0723A  ISSN： 1385-8947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： X線充電後の電子と正孔の高い貯蔵容量を有する持続性ルミネセンスと貯蔵蛍光体を合理的に設計することは挑戦的である。このような蛍光体は,抗偽造およびX線イメージングにおいて潜在的用途を有する。ここでは,真空参照結合エネルギー図(VRBE)構築,光ルミネセンス分光法および熱ルミネセンスを組み合わせて,NaYGeO_4中の電荷キャリアのトラッピング過程を研究した。NaYGeO_4:0.004Bi3+とNaYGeO_4:0.004Bi3+,0.005Ln3+(Ln=TbまたはPr)において,Bi3+は浅い電子トラップとして作用し,一方Bi3+とLn3+は深い正孔トラッピングと再結合中心として作用する。熱ルミネセンス研究によりNaYGeO_4とNaLuGeO_4中のBi2+2P_1/2基底状態におけるVRBEを実験的に決定する方法を示した。NaLu_1-xY_xGeO_4:0.003Bi3+,0.008Tb3+のBi3+共ドーパントにより生成された電子トラップ深さはxの増加により調整でき,伝導バンドエンジニアリングをもたらした。Bi3+を電子トラップとして,Bi3+とTb3+を正孔トラップとして結合することにより,優れたX線帯電アフターグロー蛍光体を開発した。X線曝露後の最適化されたNaYGeO_4:0.004Bi3+とNaYGeO_4:0.003Bi3+,0.008Tb3+の統合TL強度は,最先端のBaFBr(I):Eu2+貯蔵蛍光体より約4.5倍と1.1倍高かった。NaYGeO_4:0.003Bi3+,0.008Tb3+,および40時間以上のアフターグローにおいて,強い初期Tb3+4f→4fアフターグローが現れ,X線チャージ後のNaYGeO_4:0.004Bi3+およびNaYGeO_4:0.003Bi3+,0.008Tb3+で測定できた。開発したアフターグロー蛍光体とCsPbI_3量子ドットを用いて,概念実証抗偽造とX線イメージング応用を示した。本研究は,NaYGeO_4におけるBi2+2P_1/2基底状態におけるVRBEに関する実験的証拠を提供するだけでなく,ビスマスおよび/またはランタニドドープ無機化合物における電荷キャリアのトラッピング過程を深く研究および制御することによって,抗偽造およびX線イメージングのための良好なアフターグロー蛍光体を設計し,開発する方法も示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アフターグロー ,  *蛍光体 ,  結合エネルギー ,  最適化 ,  正孔 ,  帯電 ,  熱ルミネセンス ,  光ルミネセンス ,  *ビスマス ,  伝導バンド ,  *X線画像 ,  ドーパント
準シソーラス用語： 正孔トラップ ,  トラッピング ,  電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Bi2+VRBE ,  ビスマス ,  Bi2+からのElectronの遊離 ,  Electronトラップ深さ工学 ,  X線イメージング

分類 (2件)： 触媒操作  (XE01050T) ,  光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 偽造 ,  X線イメージング ,  アフタグロー ,  蛍光体 ,  設計 ,  電子 ,  解放