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J-GLOBAL ID:202202263926976608   整理番号:22A0950042

Argonクラスタイオンスパッタ収率:全スパッタ収率を推定するためのシリコンと方程式に関する分子動力学シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Argon cluster-ion sputter yield: Molecular dynamics simulations on silicon and equation for estimating total sputter yield
著者 (4件):
資料名:
巻: 54  号:ページ: 341-348  発行年: 2022年 
JST資料番号: E0709A  ISSN: 0142-2421  CODEN: SIANDQ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ArgonガスクラスタIonビーム源は,近年X線光電子分光法(XPS)と二次イオン質量分析(SIMS)装置に広く使用されているが,文献中のスパッタ収率に関する参照データはほとんどない。XPSまたはSIMS深さプロファイルの深さスケールを較正するために,全スパッタ収率基準データが必要である。著者らは以前に,クラスタのエネルギー/原子からのクラスタ全スパッタ収率と材料の有効単原子スパッタ閾値を推定するための半経験的なΔΣThrhold方程式を発表した。これは,約1000原子のクラスタに対する範囲または有機および無機材料に関するスパッタ収率測定と非常に良く一致することを示した。ここでは,分子動力学(MD)アプローチを用いて,実験的に高い精度で,より広い範囲のエネルギーとクラスタサイズを探索した。高性能コンピュータ(HPC)システム上で,ΔΣLageスケール原子/分子質量並列シミュレータ(LAMMPS)並列MDコードを用いてMDシミュレーションを行った。30と3000のアルゴン原子間のクラスタサイズと原子当たり5から40eVの範囲のエネルギーに対して,原型の無機基板としてシリコン(100)表面との個々の衝突の1150のシミュレーションを行った。これはSIMSとXPSにおける実験的クラスタ深さプロファイリングのための最も重要な領域に対応する。著者らのMD結果は,クラスタサイズならびにエネルギー-原子依存性を示した。以前にParuchらによって提案された指数を用いて,以前に発表された閾値モデル方程式を修正した。修正閾値方程式は,全てのMD結果に非常によく適合し,実験的スパッタ収率測定のフィッティングに成功した。本研究は,著者の1つ(PJC)の初期キャリアに大きい影響であるDr.Martin PSeh,MBEに専用化された体積に提出され,自己は,表面および界面分析に関連するので,スパッタリングに関する文献に多くの貴重な貢献をした。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
質量分析  ,  固体の表面構造一般  ,  スパッタリング 

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