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J-GLOBAL ID：202202264234254198   整理番号：22A0442344

水素発生反応のための金属ドープ窒素含有グラフェンに及ぼすH_2O単分子層の増強効果【JST・京大機械翻訳】

Enhanced effect of H₂O monolayer on metal doped nitrogen-containing graphene for hydrogen evolution reactions

著者 (2件)： Liu Xiaojing (Engineering Research Center of Advanced Functional Material Manufacturing of Ministry of Education, Zhengzhou University, Zhengzhou 450001, China) ,  Shen Xiangjian (Engineering Research Center of Advanced Functional Material Manufacturing of Ministry of Education, Zhengzhou University, Zhengzhou 450001, China)
資料名： Chemical Engineering Journal  (Chemical Engineering Journal)
巻： 431  号： P4  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0723A  ISSN： 1385-8947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素吸着の低いΔG(H*)Gibbs自由エネルギーを有する広く持ち込まれたMN_4@GR(金属ドープ窒素含有グラフェン)モデルは,水素発生反応(HER)における優れた性能のために,多くの注目を引きつけた。ΔG(H*)の共通記述子の他に,H_2O被覆効果のある場合とない場合の8つのMN_x@GR(M=Fe,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Pt,およびCu;x=0-4)触媒上のH_2形成と脱着エネルギー障壁の別の付加的記述子を示した。密度汎関数理論計算を用いて,ΔG(H*)は,H_2O被覆効果の存在下でほぼ1桁の大きさで強く増強された。1段階および2段階脱着機構として標識したこれらの8つのMN_x@GR上で,2種類のH_2形成および脱着を観測した。H_2O被覆FeN_4@GRとH_2O被覆CuN_4@GRは最低の拡散と脱着障壁を持つ2つの異なる脱着タイプを示し,最良のHER性能を示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 脱着 ,  *窒素 ,  被覆 ,  *単分子層 ,  *ドーピング ,  Gibbs自由エネルギー ,  *水素発生反応 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 脱着エネルギー ,  窒化銅 ,  密度汎関数計算 ,  水素吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： H_2O被覆効果 ,  金属ドープ窒素含有グラフェン ,  HER

分類 (5件)： 有害ガス処理法  (SC04030H) ,  反応操作(単位反応)  (XE01040I) ,  吸着,イオン交換  (XD02060I) ,  吸着剤  (YB03000W) ,  触媒操作  (XE01050T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 水素発生反応 ,  ドープ ,  窒素 ,  グラフェン ,  単分子層 ,  増強