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J-GLOBAL ID：202202264250243464   整理番号：22A1151584

物理的蒸気輸送により成長させた[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]に対する[0001]から傾斜したSiC結晶の転位密度の数値解析【JST・京大機械翻訳】

Numerical Analysis of Dislocation Density of SiC Crystals Tilted from [0001] Toward [Formula : see text] and [Formula : see text] Grown by Physical Vapor Transport

著者 (2件)： Kakimoto Koichi (Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka, 816-8580, Japan) ,  Nakano Satoshi (Research Institute for Applied Mechanics, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka, 816-8580, Japan)
資料名： Crystal Research and Technology  (Crystal Research and Technology)
巻： 57  号： 4  ページ： e2100219  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0738A  ISSN： 0232-1300  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 物理蒸気輸送法を用いて成長した結晶成長と冷却過程中の4H-SiC単結晶の傾斜角度成長の塑性変形を推定するために,Alexander-Haasenモデルを用いた転位密度の3Dと時間依存解析を実行した。成長方向を[0001]から[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]へ傾斜させ,エピタキシャル層の結晶成長中にポリタイプを安定化するウエハを作製した。SiC結晶の最大転位密度は傾角が増加するにつれて増加し,一方,転位密度の尺度の一つであるvon Mises応力は減少する。計算結果から,[0001]で成長させた結晶中の転位密度分布は6倍対称を示し,一方,[0001]から[数式:原文を参照]と[数式:原文を参照]への傾斜方向に成長した結晶では非対称分布を示した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶成長 ,  *数値解析 ,  対称性 ,  単結晶 ,  *転位【結晶】 ,  計算機シミュレーション ,  *転位密度 ,  *炭化ケイ素 ,  時間依存性 ,  塑性変形 ,  ポリタイプ ,  三次元
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  冷却過程 ,  エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 計算機シミュレーション ,  転位 ,  PVT法 ,  半導体炭化ケイ素

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (10件)： 物理 ,  蒸気 ,  輸送 ,  成長 ,  数式 ,  参照 ,  SiC ,  結晶 ,  転位密度 ,  数値解析