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J-GLOBAL ID：202202264309546436   整理番号：22A1163713

トップゲート自己整合二重層非晶質InGaZnO TFTにおける移動度増強と異常ハンプ【JST・京大機械翻訳】

Mobility Enhancement and Abnormal Humps in Top-Gate Self-Aligned Double-Layer Amorphous InGaZnO TFTs

著者 (9件)： Lee Ming-Xuan (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Chiu Jih-Chao (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Li Song-Ling (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Sarkar Eknath (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Chen Yu-Ciao (Graduate Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Yen Chia-Chun (Technology Integration Department I, Innolux Corporation, Tainan, Taiwan) ,  Chen Tsang-Long (Technology Integration Department I, Innolux Corporation, Tainan, Taiwan) ,  Chou Cheng-Hsu (Technology Development Division Group II, Innolux Corporation, Tainan, Taiwan) ,  Liu C. W. (Graduate Institute of Electronics Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 10  ページ： 301-308  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 前面障壁を有するa-IGZOチャネルを用いたトップゲート自己整合TFTの移動度増強と正のバイアス応力を調べた。a-IGZOフロント障壁は,トップゲート酸化物から離れたa-IGZOチャネルに電子を保持でき,トップゲート動作で電子移動度を著しく高めることができる。寄生チャネルは移動特性にハンプを誘起する。正のバイアス応力はハンプを負電圧に異常にシフトさせる。アレイ層上の高分子膜中のH_2Oは異常なシフトの原因である。H_2Oはトップゲート絶縁体に拡散し,電気分解してH+を生成し,しきい値電圧の負のシフトを伴う寄生チャネルを形成し,異常なハンプをもたらす。異常なハンプは,チャネル幅の増加とチャネル長の減少により,ますます重要である。正のバイアス応力に対するチャネル幅依存性は,フリンジ電場に起因する逆狭幅効果による。正のバイアス応力に対するチャネル長さ依存性は,ソースとドレインサイドの両方からの寄生チャネルの中心へのH+拡散による。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *移動度 ,  電場 ,  電解 ,  *非晶質 ,  高分子膜 ,  チャネル ,  *自己整合 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  ゲート酸化膜 ,  チャネル長 ,  閾値電圧 ,  チャネル幅 ,  *トップゲート ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (5件)： 信号理論  (ND02020G) ,  移動通信  (ND08030H) ,  音響信号処理  (BB03050C) ,  その他の無線通信  (ND08050D) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (9件)： トップ ,  ゲート ,  自己整合 ,  二重層 ,  非晶質 ,  TFT ,  移動度 ,  増強 ,  ハンプ