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J-GLOBAL ID：202202264346557417   整理番号：22A1112778

InP(001)基板上のInGaAsバルクおよびInGaAs/InAlAsワイド量子井戸における励起子局在の光ルミネセンス研究【JST・京大機械翻訳】

Photoluminescence study of exciton localization in InGaAs bulk and InGaAs/InAlAs wide quantum well on InP (001) substrate

著者 (10件)： Luo Shiping (Hebei Key Laboratory of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, 071002, PR China) ,  Wang Ying (Hebei Key Laboratory of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, 071002, PR China) ,  Liang Baolai (Hebei Key Laboratory of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, 071002, PR China) ,  Liang Baolai (California NanoSystem Institute, University of California, Los Angeles, CA, 90095, USA) ,  Wang Chunsheng (Hebei Key Laboratory of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, 071002, PR China) ,  Wang Shufang (Hebei Key Laboratory of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, 071002, PR China) ,  Fu Guangsheng (Hebei Key Laboratory of Optic-electronic Information and Materials, College of Physics Science and Technology, Hebei University, Baoding, 071002, PR China) ,  Mazur Yuriy I. (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, AR, 72701, USA) ,  Ware Morgan E. (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, AR, 72701, USA) ,  Salamo Gregory J. (Institute for Nanoscience and Engineering, University of Arkansas, AR, 72701, USA)
資料名： Journal of Luminescence  (Journal of Luminescence)
巻： 246  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0731A  ISSN： 0022-2313  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP基板と整合した50nmInGaAs/InAlAsワイド量子井戸(QW)の光ルミネセンス(PL)測定により,励起子局在化を調べた。局在励起子(LE)再結合と自由励起子(FE)再結合の両方からの離散QW発光バンドを観測し,ポンプパワーの増加による修正状態充填を実証した。温度に対するFEピークエネルギーの”S”形状依存性は,励起子活性化とLEからFEへの遷移の兆候を表す。励起子局在化エネルギーはQWで8.87meVであると測定され,これは参照InGaAsバルクで見出される約3.39meVの値よりはるかに大きい。さらに,LE発光ではFEsよりもわずかに長い寿命が測定された。これらの結果は,InGaAs/InAlAs/InPヘテロ構造におけるキャリア局在化の詳細な評価を提供し,光学素子の設計に有用な情報を提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 再結合 ,  発光 ,  *光ルミネセンス ,  *励起子 ,  キャリア ,  素子構造 ,  *リン化インジウム ,  光学素子 ,  *量子井戸 ,  *ヒ化ガリウムインジウム
準シソーラス用語： *ヒ化インジウムアルミニウム ,  ヘテロ構造 ,  局在化 ,  形態依存性 ,  自由励起子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 光ルミネセンス ,  励起子局在 ,  局在化エネルギー ,  量子井戸

分類 (3件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  塩  (CD01050V) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (8件)： InP ,  InGaAs ,  バルク ,  InAlAs ,  量子井戸 ,  励起子 ,  光ルミネセンス ,  研究