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J-GLOBAL ID：202202264590510728   整理番号：22A1094847

P型ドーピングゾーンとリセスバッファー層を持つ新しい4H-SiC MESFET【JST・京大機械翻訳】

A novel 4H-SiC MESFET with P-type doping zone and recessed buffer layer

著者 (7件)： Jia Hujun (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhang Yunfan (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Zhu Shunwei (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Wang Huan (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Wang Xiaoyu (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Liang Hua (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China) ,  Yang Yintang (School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an, 710071, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 144  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二重凹形4H-SiC金属半導体電界効果トランジスタ(DR-MESFET)構造に基づいて,ソースドリフト領域(PDB-MESFET)の下のドレインドリフト領域と陥凹バッファ層におけるp型ドーピングゾーンを有する新しい4H-SiC MESFETを本論文で提案した。シミュレーション結果は,この新規構造の絶縁破壊電圧がDR-MESFETのそれと比較して63.76%改善されることを示した。したがって,デバイスの最大出力電力密度は72.85%増加した。RFに関しては,ゲート源容量の増加によりカットオフ周波数は4.42%減少し,RF性能はわずかに悪化した。しかし,一般に,DC性能の大幅な改善のためにRF性能のわずかな低下を交換することは意味がある。p型ドーピング領域の長さと幅を最適化し,p型ドーピング領域の最適サイズを得た。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  シミュレーション ,  電圧 ,  最適規模 ,  *炭化ケイ素 ,  エネルギー密度 ,  遮断周波数 ,  *MESFET ,  凹形 ,  ゲート【半導体】 ,  *バッファ層
準シソーラス用語： 出力密度 ,  電力密度 ,  *4H-SiC ,  絶縁破壊電圧 ,  ディンプル ,  最大出力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 4H-SiC MESFET ,  破壊電圧 ,  P型ドーピング領域 ,  最大出力密度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： p型ドーピング ,  ゾーン ,  バッファー層 ,  4H-SiC ,  MESFET