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J-GLOBAL ID：202202264679950399   整理番号：22A1101103

分割光遮蔽を用いた低温ポリシリコンTFTにおけるドレイン誘起障壁低下とキンク効果の抑制【JST・京大機械翻訳】

Suppressing Drain-Induced Barrier Lowering and Kink Effect in Low-Temperature Poly-Si TFTs Using a Partitioned Light Shield

著者 (13件)： Zhou Kuan-Ju (Department of Physics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Zheng Yu-Zhe (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Tai Mao-Chou (Department of Photonics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chen Po-Hsun (Department of Physics, Military Academy, Kaohsiung, Taiwan) ,  Hung Yang-Hao (Department of Physics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Tu Yu-Fa (Department of Electrical Engineering, National Tsing-Hua University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chen Jian-Jie (Department of Physics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Hung Wei-Chun (Department of Physics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Wang Yu-Xuan (Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chien Ya-Ting (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Sun Pei-Jun (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Huang Hui-Chun (Department of Materials and Optoelectronic Science, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Chang Ting-Chang (Department of Physics, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 43  号： 4  ページ： 576-579  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異常なドレイン誘起障壁低下(DIBL)を,全光遮蔽(LS)構造を有するn型低温多結晶シリコン薄膜トランジスタ(LTPS TFT)で観察した。ドレイン電流対ゲート電圧曲線はドレインバイアスが増加するにつれて閾値電圧(V_TH)シフトとハンプ効果を示し,不飽和出力特性を示した。LTPS TFTsの固有結晶粒界と結晶粒突出のため,かなりの衝撃イオン化が発生し,従って,高電流で動作するとき,電子オレドホール対を生成し,浮遊体効果をもたらし,キンク効果の発生を与える。しかし,LSのカップリングポテンシャルのため,LSにより不飽和電流特性を誘導した。したがって,分割されたLS構造を提案して,DIBLをさらに改善し,キンク効果を弱めた。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶粒界 ,  障壁 ,  電圧 ,  薄膜トランジスタ ,  *キンク ,  結晶粒 ,  衝突イオン化 ,  バイアス ,  効果 ,  短チャネル効果 ,  遮光
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  ドレイン電流 ,  飽和電流 ,  出力特性 ,  ゲート電圧 ,  DIBL , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光遮蔽 ,  低温ポリシリコン ,  TFT ,  ドレイン ,  誘起 ,  障壁 ,  キンク