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J-GLOBAL ID：202202264729308229   整理番号：22A1052385

水素化物気相エピタクシーにより成長させたAl_0.4Ga_0.6N層の欠陥状態に及ぼす酸素の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of oxygen on defect states of Al_0.4Ga_0.6N layers grown by hydride vapor phase epitaxy

著者 (3件)： Ahn Chang Wan (Department of Physics and Research Institute for Convergence of Basic Sciences, Hanyang University, Seoul, 04763, Republic of Korea) ,  Park Sungsoo (Department of Science Education, Jeonju University, 303 Cheonjam-ro, Wansan-gu, Jeollabuk-do, Republic of Korea) ,  Kim Eun Kyu (Department of Physics and Research Institute for Convergence of Basic Sciences, Hanyang University, Seoul, 04763, Republic of Korea)
資料名： Journal of Materials Research and Technology  (Journal of Materials Research and Technology)
巻： 17  ページ： 1485-1490  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3532A  ISSN： 2238-7854  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化物気相エピタキシー(HVPE)により成長させたAl_xGa_1-xN(x=0.4)の欠陥状態と電気的性質を調べた。Al_xGa_1-xN結晶中の元素Oの取り込みの影響を確認するために,Al_xGa_1-xN結晶のHVPE成長をO_2の流れの有無で行った。Al_xGa_1-xN層の結晶品質と電気的性質をX線回折と深準位過渡分光法(DLTS)によって分析した。Ni/Au金属およびTi/Alメタライゼーションを用いて,I-V,C-VおよびDLTS測定用のSchottkyデバイスを作製した。容量DLTSスペクトルは,酸素なしで成長したAl_0.4Ga_0.6N中のH_1とH_2の2つのタイプの深いトラップを示し,一方,酸素で成長させたAl_0.4Ga_0.6NではH_1トラップが観察された。すべてのトラップは,1.3eV(H1),0.59eV(H2),および1.2eV(H1′)の活性化エネルギーを有する正孔様トラップであった。これらの結果は,酸素原子が結晶品質を改善し,Al_xGa_1-xN結晶中の欠陥状態を抑制することを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  活性化エネルギー ,  正孔 ,  金 ,  電気的性質 ,  *アルミニウム ,  *酸素 ,  チタン ,  ニッケル ,  スペクトル ,  メタライゼーション ,  深準位過渡分光法
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  酸素原子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： AlGaN ,  欠陥状態 ,  HVPE ,  DLTS ,  Schottkyダイオード ,  酸素効果

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 水素化物気相エピタクシー ,  成長 ,  欠陥状態 ,  酸素