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J-GLOBAL ID：202202264985123944   整理番号：22A0447542

窒素雰囲気下のアニーリングによるp型GaN中の細孔:形成と光検出器【JST・京大機械翻訳】

Pores in p-type GaN by annealing under nitrogen atmosphere: formation and photodetector

著者 (9件)： Chen Rongrong (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Liu Jie (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Feng Bo (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Zhu Hongyan (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Wang Di (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Luan Caina (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Ma Jin (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Zhang Lei (State Key Lab of Crystal Materials, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China) ,  Xiao Hongdi (School of Microelectronics, Shandong University, Jinan, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 57  号： 1  ページ： 467-476  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Mgドープp-GaNは,エッチングし,湿式エッチングにより多孔質化され,多孔性p-GaNを作製するためにN_2環境中でアニールされた。900-1150°Cの焼なまし温度範囲では,細孔径と細孔密度は,焼鈍温度の上昇に伴って増加した。1050°Cで得られたV型細孔構造を有する多孔質p-GaNは最良の結晶品質を示した。多孔質構造の形成は,p-GaNエピタキシャル膜の欠陥に位置するGaN分子の分解によることを示した。多孔質p-GaNエピタキシャルウエハを用いてバイオレット光光検出器を作製した。成長したままの試料と比較して,1050°Cで得られた多孔質GaNは,より速いキャリア移動度,より高い光応答速度,低い表面状態密度および類似の可視光透過率を示した。本研究は多孔質p型GaN材料の開発を促進するであろう。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  *焼なまし ,  *光検出器 ,  ドーピング ,  状態密度 ,  *窒化ガリウム ,  細孔 ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： 光応答 ,  アニーリング温度 ,  結晶品質 ,  *窒素雰囲気 ,  多孔構造 ,  エピタキシャル膜 ,  焼きなまし温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 二次電池  (YB04030K) ,  その他の表面処理  (WC08070F) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素雰囲気 ,  アニーリング ,  GaN ,  細孔 ,  光検出器