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J-GLOBAL ID：202202265217475338   整理番号：22A0906337

性能を改善したソースポケット技術ヘテロゲート誘電体SOIトンネルFET【JST・京大機械翻訳】

Source pocket-engineered hetero-gate dielectric SOI Tunnel FET with improved performance

著者 (5件)： Sharma Vanshaj (Department of Electronics and Communication Engineering, NIT Hamirpur, Hamirpur 177005, Himachal Pradesh, India) ,  Kumar Sanjay (Department of Electronics and Communication Engineering, IIIT Bhagalpur, Bhagalpur 813210, Bihar, India) ,  Talukdar Jagritee (Department of Electronics and Communication Engineering, NIT Silchar, Silchar 788010, Assam, India) ,  Mummaneni Kavicharan (Department of Electronics and Communication Engineering, NIT Silchar, Silchar 788010, Assam, India) ,  Rawat Gopal (Department of Electronics and Communication Engineering, NIT Hamirpur, Hamirpur 177005, Himachal Pradesh, India)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 143  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,量子機械的バンドツーバンドトンネル(BTBT)機構を利用して動作する,ソースサイドSiGeポケットとヘテロゲート誘電体構造の平面トンネルFETデバイスを研究し,提案した。較正したSILVACO TCADデバイスシミュレータを使用して得られたシミュレーション結果は,このデバイスがヘテロゲート誘電体のため良好な両極性性能を示し,ソースポケットの使用は4.90mV/decの急峻な点サブ閾値スイング,25.31mV/decの平均サブ閾値スイングおよび0.23Vの閾値電圧をもたらすことを示す。ヘテロゲート誘電体を含むため,高κ誘電体長のドレイン電流値の変化を解析した。ポケット長とポケットドーピングを含むポケットパラメータによる移動特性の変化も報告した。5×1019cm-3のドーピング濃度を有する4nmSi_0.7Ge_0.3n+ポケットは,5.23×1011の最大ON-OFF電流比を示すことを見出した。また,本論文では,異なるTFET構造の比較研究を行い,その解析は,低電力およびエネルギー効率の良い応用に対して,提案したソースPocket-Engineered Heter Gate誘電体(SPE-HGD)TFETデバイスの可能性を明確に強調する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  電圧 ,  電流 ,  *誘電体 ,  性能指数 ,  ドーピング ,  *ソース【半導体】 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  ドレイン電流 ,  TCAD ,  デバイスシミュレータ ,  低電力化 ,  シリコンゲルマニウム ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： サブ閾値スイング ,  バンド間トンネリング ,  両極性電流 ,  TCADシミュレーション ,  SiGeポケット

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ソース ,  テロ ,  ゲート誘電体 ,  SOI ,  トンネルFET