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J-GLOBAL ID：202202265620611542   整理番号：22A1090004

n型リンドープキャストモノライクシリコンの結晶成長と抵抗率変調【JST・京大機械翻訳】

Crystal growth and resistivity modulation of n-type phosphorus-doped cast mono-like silicon

著者 (9件)： Huang Jie (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, PR China) ,  Yu Xuegong (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, PR China) ,  Hu Dongli (Jiangsu Key Lab of Silicon Based Electronic Materials, Jiangsu GCL Silicon Material Technology Development Co., Ltd., No. 88 Yangshan Road, Xuzhou Economic Development Zone, Xuzhou 221000, PR China) ,  Hu Dongli (School of Biological and Chemical Engineering, NingboTech University, Ningbo 315100, PR China) ,  Yuan Shuai (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, PR China) ,  Chen Hongrong (Jiangsu Key Lab of Silicon Based Electronic Materials, Jiangsu GCL Silicon Material Technology Development Co., Ltd., No. 88 Yangshan Road, Xuzhou Economic Development Zone, Xuzhou 221000, PR China) ,  Wu Peng (Jiangsu Key Lab of Silicon Based Electronic Materials, Jiangsu GCL Silicon Material Technology Development Co., Ltd., No. 88 Yangshan Road, Xuzhou Economic Development Zone, Xuzhou 221000, PR China) ,  Wang Lei (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, PR China) ,  Yang Deren (State Key Laboratory of Silicon Materials and School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, PR China)
資料名： Solar Energy  (Solar Energy)
巻： 236  ページ： 294-300  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0099A  ISSN： 0038-092X  CODEN： SRENA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗率テーリングは,リンドープn型鋳造モノ状シリコン(CM-Si)インゴットの製造を著しく減少させ,コストを増加させる。しかし,溶融シリコン中のリンの高い飽和蒸気圧によるインゴット頂部でのリン蒸発を高めるために,炉圧を調節することにより,均一な軸方向ドーパントプロファイルを効率的に得られると考えられる。インゴット頂部の抵抗率を増加させるため,n型鋳造モノ状シリコンインゴットの成長を正常および減圧下で比較した。インゴット品質を特性化し,抵抗率分布を測定し,議論した。抵抗率のフィッティング結果は,結晶の非平衡凝固過程中の溶質再分布を記述するScheilの式が,通常の炉圧(600mbar)下の軽リンドープインゴットの理論的抵抗率分布を計算するために使用できるが,減圧過程では修正する必要があることを示唆する。修正結果は,減圧下の物理的成長が蒸発と偏析の結合結果であり,シリコン中のリンの物質移動係数を計算するモデルが確立されたことを示した。得られた物質移動係数は,気相から外部環境へのリンの移動が制御段階であり,減圧が全物質移動係数を増加させることによってある程度リンの蒸発を強化することができることを示した。本研究は,産業において均質化した軸抵抗プロファイルを有するn型CM-Siインゴットを作製する経済的効果的な方法を開いた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 凝固 ,  *結晶成長 ,  物質移動 ,  蒸発 ,  太陽電池 ,  *電気抵抗率 ,  偏析 ,  *ケイ素 ,  *リン ,  鋳造 ,  インゴット ,  非平衡状態 ,  減圧 ,  *ドーピング ,  気相

著者キーワード (6件)： モノ様シリコン ,  リンドープ ,  比抵抗制御 ,  モデリング ,  物質移動 ,  太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 結晶成長 ,  抵抗率 ,  変調