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J-GLOBAL ID：202202265862481315   整理番号：22A0901172

ナノエレクトロニクスと光起電力のための新しい有望な2D材料としての非対称XMoSiN_2(X=S,Se,Te)単分子層【JST・京大機械翻訳】

Asymmetric XMoSiN2 (X=S, Se, Te) monolayers as novel promising 2D materials for nanoelectronics and photovoltaics

著者 (5件)： Sibatov R.T. (Department of Theoretical Physics, Moscow Institute of Physics and Technology (MIPT), Russia) ,  Sibatov R.T. (Research Laboratory for Advanced Processes, Scientific-Manufacturing Complex “Technological Centre”, Moscow, Russia) ,  Sibatov R.T. (Laboratory of Diffusion Processes, Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia) ,  Meftakhutdinov R.M. (Laboratory of Diffusion Processes, Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia) ,  Kochaev A.I. (Laboratory of Diffusion Processes, Ulyanovsk State University, Ulyanovsk, Russia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 585  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,1側面からSiNを削除し,カルコゲンX原子(硫黄,セレン,またはテルル)と同一側から残りのN原子を置換することによって,MoSi_2N_4から構築して最適化した非対称2D材料XMoSiN_2を研究した。新しい構造は遷移金属ジカルコゲン化物とMoSi_2N_4族からの2D材料のハイブリッドである。新しい2D材料の動的安定性を正当化した。高い結合エネルギー(>7.5eV/原子)は,研究中の単分子層に対して典型的である。推定ビルトイン電場(約1.3~2eV/Å)は,単一単層で光生成電荷キャリアを効果的に分離できる。高い機械的強度(2DYoung率E300N/m,面内応力限界>17N/m),単分子層の変形に対する電子および光学特性の目立った感度,および外部横方向電場に対する弱い感度から,提案した2D材料は,フレキシブルオプトおよびナノエレクトロニクスにおける応用に対して非常に有望であることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結合エネルギー ,  光学的性質 ,  *光起電力 ,  最適化 ,  電場 ,  光生成 ,  セレン ,  *単分子層 ,  *非対称性 ,  *二次元 ,  動的安定性
準シソーラス用語： *ナノエレクトロニクス ,  電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2D材料 ,  ナノエレクトロニクス ,  密度汎関数理論 ,  XMoSiN_2 ,  太陽光発電

分類 (2件)： 固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノエレクトロニクス ,  光起電力 ,  2D ,  非対称 ,  Se ,  Te ,  単分子層