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J-GLOBAL ID:202202265939217483   整理番号:22A0433667

斜めイオンビームスパッタリングによるシリコンパターニングにおける金属供給経路の役割【JST・京大機械翻訳】

Role of the metal supply pathway on silicon patterning by oblique ion beam sputtering
著者 (13件):
資料名:
巻: 580  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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40keVのFeイオンビームの斜め入射によるシリコン表面に誘起されたパターンの動力学を研究した。結果を,2つの参照システム,すなわち,Fe共蒸着の有無での希ガスイオンビームに対して得た結果と比較した。用いた技術は,原子間力顕微鏡,Rutherford後方散乱分光法,透過Electron顕微鏡,X線光電子分光法,および硬X線光電子分光法,ならびに超伝導量子干渉素子測定を含む。Fe誘起パターンは,短い六角形秩序を示すパターンがそれらといくつかの特徴を共有するにもかかわらず,両参照系のそれと異なる。両Fe系において,ケイ化鉄リッチおよび乏しい領域を有する化学パターンが,長時間照射で形成された。金属経路は,パターンの形態特性及び化学的及び形態学的パターン間の空間的相関に著しい影響を及ぼした。また,Fe注入系に対してより良い鉄ケイ化物化学量論と表面パターン磁気特性を決定した。これらの結果は,反応性金属によるイオンビーム誘起シリコン表面パターニングにおいて,金属供給経路が形態パターン特性だけでなく,化学的および磁気的ものを決定するのに重要であることを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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電子分光スペクトル  ,  レーザ照射・損傷 
タイトルに関連する用語 (5件):
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