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J-GLOBAL ID:202202266004784692   整理番号:22A1101171

高密度10kV SiCパワーモジュールインタフェイスのためのPCB統合フィールドグレーディングのBayes最適化【JST・京大機械翻訳】

Bayesian Optimization of PCB-Integrated Field Grading for a High-Density 10 kV SiC Power Module Interface
著者 (2件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 7590-7603  発行年: 2022年 
JST資料番号: D0211B  ISSN: 0885-8993  CODEN: ITPEE8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Bayes最適化を用いた自動数値最適化ワークフローと,新しい重み付け点間(POI)コスト関数を提案し,PCB統合電場等級付け構造に対して実証した。高密度絶縁システムのための従来の手動設計技術は,電場性能をシミュレートし,性能特性を手動で評価することを含み,許容可能な設計が達成されるまで反復する。提案技法は,市販のソフトウェアと有限要素法(FEM)パッケージに容易に実装できるスケーラブルで計算効率の良いコスト関数に基づいて,完全に自動化されたワークフローを可能にすることにより,これを改善する。ワークフローは,フィールドクラウディングを緩和するために採用されるPCB統合フィールドグレーディング構造で実証され,高密度10kVSiCモスフェットパワーモジュールの端末周辺のファイル均一性を改善する。モジュールハウジングと組み合わせた統合フィールド等級づけは,モジュールの部分的放電(PD)フリー動作を確実にしながら,6mmの電力端末間隔を可能にする。提案したワークフローは,競合する降下ベース技術と比較して,設計時間を3倍加速し,手動設計技術と比較したとき,7倍低い収束誤差で100倍である。さらに,最適化システムは以前の手動設計バージョンよりも38%良く実行され,実験的に11.6kVrms(16.4kVピーク)のPD開始電圧を示した。提案したワークフローは大規模システムにスケーラブルであり,広範囲の高密度,高電圧絶縁設計問題に適用できる。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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電力変換器  ,  太陽光発電 

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