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J-GLOBAL ID：202202266851413079   整理番号：22A0465235

マグネトロンスパッタリングにより蒸着した重金属/フェリ磁性絶縁体におけるスピン-軌道トルクと界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用【JST・京大機械翻訳】

Spin-Orbit Torque and Interfacial Dzyaloshinskii-Moriya Interaction in Heavy Metal/Ferrimagnetic Insulator Deposited by Magnetron Sputtering

著者 (22件)： Ye Zhixiang (College of New Materials and New Energies, Shenzhen Technology University, Shenzhen, 518118, China) ,  Chen Zhiren (College of New Materials and New Energies, Shenzhen Technology University, Shenzhen, 518118, China) ,  Chen Zehan (College of New Materials and New Energies, Shenzhen Technology University, Shenzhen, 518118, China) ,  Jia Wei (College of New Materials and New Energies, Shenzhen Technology University, Shenzhen, 518118, China) ,  Gao Tenghua (Department of Applied Physics and Physico-Informatics, Keio University, Yokohama, 223-8522, Japan) ,  Gao Tenghua (Keio Institute of Pure and Applied Science, Keio University, Yokohama, 223-8522, Japan) ,  Liu Lin (College of New Materials and New Energies, Shenzhen Technology University, Shenzhen, 518118, China) ,  Zheng Hongnan (College of New Materials and New Energies, Shenzhen Technology University, Shenzhen, 518118, China) ,  Zeng Qi (College of New Materials and New Energies, Shenzhen Technology University, Shenzhen, 518118, China) ,  Wang Qiuning (College of New Materials and New Energies, Shenzhen Technology University, Shenzhen, 518118, China) ,  Wang Ning (College of New Materials and New Energies, Shenzhen Technology University, Shenzhen, 518118, China) ,  Xiang Boyuan (College of New Materials and New Energies, Shenzhen Technology University, Shenzhen, 518118, China) ,  Lin Tao (College of New Materials and New Energies, Shenzhen Technology University, Shenzhen, 518118, China) ,  Qiu Mingxia (College of New Materials and New Energies, Shenzhen Technology University, Shenzhen, 518118, China) ,  Li Shunpu (College of New Materials and New Energies, Shenzhen Technology University, Shenzhen, 518118, China) ,  Shi Ji (School of Materials and Chemical Technology, Tokyo Institute of Technology, Tokyo, 152-8552, Japan) ,  Hou Zhipeng (Guangdong Provincial Key Laboratory of Optical Information Materials and Technology & Institute for Advanced Materials, South China Academy of Advanced Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China) ,  Hou Zhipeng (National Center for International Research on Green Optoelectronics, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China) ,  Ando Kazuya (Department of Applied Physics and Physico-Informatics, Keio University, Yokohama, 223-8522, Japan) ,  Ando Kazuya (Keio Institute of Pure and Applied Science, Keio University, Yokohama, 223-8522, Japan) ,  Ando Kazuya (Center for Spintronics Research Network, Keio University, Yokohama, 223-8522, Japan) ,  An Hongyu (College of New Materials and New Energies, Shenzhen Technology University, Shenzhen, 518118, China)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 8  号： 1  ページ： e2100590  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フェリ磁性絶縁体(FMIs)はスピントロニクスデバイスへの応用に豊富な利点を持ち,それは集中的な研究を引きつけてきた。しかし,重金属(HM)/FMI二分子層に関するほとんどの以前の研究で,FMI層はパルスレーザ蒸着(PLD)によって堆積され,HM層はマグネトロンスパッタリングによって堆積される。これは,避けられない真空破壊による界面汚染を引き起こし,次に,HM/FMI二分子層におけるスピン-軌道トルク(SOT)発生とDzyaloshinskii-Moriya相互作用(DMI)に著しく影響する。本研究では,真空破壊のないマグネトロンスパッタリングにより堆積したHM/FMI二分子層中のSOTとDMIを研究した。マグネトロンスパッタリングによる良好な結晶性と垂直磁気異方性(PMA)を有する典型的なFMIであるTm_3Fe_5O_12(TmIG)層の成功した作製を初めて示した。次に,TmIG厚さを系統的に変えることにより,Pt/TmIG二分子層中のSOTとDMIを研究した。Pt/TmIG二分子層における有効スピンHall角はこれまで報告された値よりもはるかに大きいことを示した。さらに,DMI定数はTmIG厚さの逆数と線形的にスケールし,DMIの界面起源を示した。本研究は,HM/FMI二分子層におけるSOTとDMIの基本的な理解のための情報を提供した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  *相互作用 ,  *重金属 ,  二分子層 ,  結晶度 ,  線形性 ,  マグネトロンスパッタリング ,  垂直磁気異方性 ,  スピントロニクス ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： *磁性絶縁体 ,  *スピン-軌道トルク , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Dzyaloshinskii-Moriya相互作用 ,  フェリ磁性絶縁体 ,  スピントロニクス ,  スピン軌道トルク

分類 (3件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  磁区・磁化過程一般  (BM06111M)

タイトルに関連する用語 (8件)： マグネトロンスパッタリング ,  蒸着 ,  重金属 ,  フェリ磁性 ,  絶縁体 ,  スピン-軌道トルク ,  界面 ,  Dzyaloshinskii-Moriya相互作用