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J-GLOBAL ID：202202266950774288   整理番号：22A0831895

傾斜バンドギャップAlGaAs/GaAs電子注入陰極の活性化実験とスペクトル応答特性解析【JST・京大機械翻訳】

Activation experiment and spectral response properties analysis of graded-bandgap AlGaAs/GaAs electron-injection cathode

著者 (5件)： Li Yuqing (Engineering Research Center of Nuclear Technology Application (East China University of Technology), Ministry of Education, Nanchang 330013, China) ,  Zou Jijun (Engineering Research Center of Nuclear Technology Application (East China University of Technology), Ministry of Education, Nanchang 330013, China) ,  Zhang Yijun (School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China) ,  Peng Xincun (Engineering Research Center of Nuclear Technology Application (East China University of Technology), Ministry of Education, Nanchang 330013, China) ,  Deng Wenjuan (Engineering Research Center of Nuclear Technology Application (East China University of Technology), Ministry of Education, Nanchang 330013, China)
資料名： Optics Communications  (Optics Communications)
巻： 508  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0678B  ISSN： 0030-4018  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セシウム/酸素活性化実験を,スペクトル応答測定器に接続した超高真空システムにおいて,ガリウム-ヒ素系電子注入カソードで行った。活性化前に,原子的に清浄な表面を得るために,650°Cで高温洗浄を行った。実験前後のカソード表面不純物を,X線光電子分光法によって特性評価した。カソードTi/Pt/Au電極特性のため,試料は化学的に洗浄できなかった。活性化前の高温カソード処理は酸化物を完全に除去できず,光電流とスペクトル応答における低いカソード放出容量をもたらした。実験量子効率曲線を2minima拡散モデルに適合し,カソード性能を特徴付ける電子拡散長と脱出確率のようなパラメータを計算した。フィッティング結果に従って,カソード表面上の残留不純物と薄いエミッタ層は電子逃避の低い確率をもたらし,低い量子効率をもたらした。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 原子 ,  高温 ,  光電流 ,  超高真空 ,  不純物 ,  酸素 ,  セシウム ,  *ヒ化ガリウム ,  量子効率 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *バンドギャップ ,  金電極 ,  *カソード
準シソーラス用語： *電子注入 ,  *スペクトル応答 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 負の電子親和力 ,  Electron注入カソード ,  X線光電子分光法 ,  量子効率

分類 (2件)： 固体プラズマ  (BM02160W) ,  量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (9件)： バンドギャップ ,  AlGaAs ,  GaAs ,  電子注入 ,  陰極 ,  活性化 ,  実験 ,  スペクトル応答 ,  特性解析