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J-GLOBAL ID：202202266981155335   整理番号：22A0478141

SまたはNドープグラフェン量子ドットとナノ構造チタンニオブ酸塩に基づくナノ複合材料の電気化学的水素貯蔵に関する比較研究【JST・京大機械翻訳】

Comparative study on electrochemical hydrogen storage of nanocomposites based on S or N doped graphene quantum dots and nanostructured titanium niobate

著者 (2件)： Ghiyasiyan-Arani Maryam (Institute of Nano Science and Nano Technology, University of Kashan, P. O. Box. 87317-51167, Kashan, Iran) ,  Salavati-Niasari Masoud (Institute of Nano Science and Nano Technology, University of Kashan, P. O. Box. 87317-51167, Kashan, Iran)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 899  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エネルギー貯蔵プロセスに参加できる非常に効果的で持続性のある混合金属酸化物担持材料を強化する必要がある。ここでは,相互接続構造を有するTiNb_2O_7ナノ構造埋め込みS-またはN-ドープグラフェン量子ドット(S-GQDs/TNまたはN-GQDs/TN)を,炭素鎖の異なる長さを有するアセチルアセトン(Acac)およびアミンから成るin situキレートおよび安定化剤を用いた容易なアルコサーマル法を通して合成した。相互接続したS/NドープGQDsは,ナノ複合体をより電子豊富にし,導電性を改善し,ピリジン窒素は,材料上の水素吸収を容易にするために,求電子活性部位を生成する。調製したままのナノ複合材料は水素収着に対して好ましい活性を示した。GQDs/TNナノ複合材料の優れた電気化学的性能は,主にTiNb_2O_7ナノ粒子とGQDsの貢献的影響に起因し,それは,貴重な有効サイト,電解質の未使用のアベイラビリティ,水素の拡散を,また,その優れた導電性と効率的な構造にも関与できる。さらに,形態と電解質濃度を重要なパラメータとして最適化した。元のTNミクロスフェアとナノ粒子の水素貯蔵容量は200と979mA h g-1であり,GQDsによる修飾(S-GQDs/TN_3とN-GQDs/TN_3の放電容量は1234と2433m Ah g-1)で増加する。さらに,電解質濃度の増加により,水素貯蔵容量が増加した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *水素 ,  *チタン ,  窒素 ,  アミン ,  安定剤 ,  活性部位 ,  *ドーピング ,  電解質 ,  *電気化学 ,  *水素吸蔵 ,  キレート化合物 ,  *ナノ構造 ,  導電性 ,  ナノ粒子 ,  窒素複素環化合物

著者キーワード (5件)： TiNb_2O_7 ,  GQD ,  電極触媒 ,  相互接続構造 ,  水素貯蔵

分類 (2件)： その他の金属組織学  (WB01040Y) ,  二次電池  (YB04030K)

物質索引 (1件)： ピリジン

タイトルに関連する用語 (9件)： ドープ ,  グラフェン量子ドット ,  ナノ構造 ,  チタン ,  ニオブ酸塩 ,  ナノ複合材料 ,  電気化学 ,  水素貯蔵 ,  研究