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J-GLOBAL ID：202202267453651609   整理番号：22A0441850

不均一Ni/Au/4H-SiC Schottkyダイオードの電気的挙動の温度依存性【JST・京大機械翻訳】

Temperature dependence of electrical behaviour of inhomogeneous Ni/Au/4H-SiC Schottky diodes

著者 (4件)： Osvald J. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04, Bratislava, Slovakia) ,  Hrubcin L. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04, Bratislava, Slovakia) ,  Hrubcin L. (Joint Institute for Nuclear Research, Joliot Curie 6, RUS-141980, Dubna, Moscow Region, Russian Federation) ,  Zatko B. (Institute of Electrical Engineering, Slovak Academy of Sciences, Dubravska cesta 9, 841 04, Bratislava, Slovakia)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 140  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 小さな温度間隔におけるNi/Au/4H-SiC Schottkyダイオードの電気的パラメータの温度依存性を研究した。電流-電圧特性を35と80°Cの間で測定した。I-V曲線は,障壁高さの不均一性を示す半対数プロットに線形部分を持たない。Gauss障壁高さ分布と異なる障壁高さを持つダイオードパッチの並列接続を仮定して,I-V曲線の前方部分を解析した。最小二乗法を用いて,平均障壁高さ,障壁高さ分布の標準偏差および最終的にダイオードの直列抵抗を温度の関数として決定した。抽出障壁の高さと分布の標準偏差は,温度上昇とともに減少した。逆に,ダイオードの直列抵抗は,温度の上昇と共に増加する。興味ある特徴として,I-V曲線の1点におけるI-V曲線の交差が,温度とともに増大すると,I-V曲線の1点が観測される。この交差点において,ダイオードを通過する電流は温度に依存しない。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  最小二乗法 ,  *ダイオード ,  電流 ,  標準偏差 ,  交差点 ,  電流電圧特性 ,  *炭化ケイ素 ,  *温度依存性 ,  並列接続 ,  対数 ,  昇温
準シソーラス用語： 直列抵抗 ,  障壁高さ ,  温度関数 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 4H-SiC ,  Schottky障壁 ,  バリア不均一性 ,  表面障壁検出器

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 不均一 ,  Ni ,  Au ,  4H-SiC ,  Schottkyダイオード ,  挙動 ,  温度依存性