文献

J-GLOBAL ID：202202267753431725   整理番号：22A0695444

増強光触媒水素発生のためのγ線照射によるZnIn_2S_4の表面状態の制御【JST・京大機械翻訳】

Regulating the surface state of ZnIn₂S₄ by gamma-ray irradiation for enhanced photocatalytic hydrogen evolution

著者 (8件)： Wang Siyu (Department of Applied Chemistry, College of Material Science and Technology, Nanjing University of Aeronautics and Astronautics, 210016, Nanjing, Jiangsu Province, P. R. China. [e-mail]) ,  Li Peng ,  Sheng Lei ,  Song Lizhu ,  Zang Rui ,  Liu Shuaishuai ,  Liu Lequan ,  Zhou Wei
資料名： Catalysis Science & Technology  (Catalysis Science & Technology)
巻： 12  号： 3  ページ： 927-934  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2461A  ISSN： 2044-4761  CODEN： CSTAGD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面空孔は,硫化物と酸化物上の光触媒水素発生反応(HER)の活性サイトであることが実証された。本研究では,表面S空孔をZnIn_2S_4上の高エネルギーγ線放射によって制御した。γ線照射は電子構造の変化に強い効果を持ち,ZnIn_2S_4は種々の放射線量下で可変バンドギャップを持つことが分かった。40kGyの線量で,ZnIn_2S_4のバンドギャップは2.11から2.01eVに減少した。可視光下でのH_2発生速度は40kGyγ線照射ZnIn_2S_4で154.1μmolh-1と高く,元のZnIn_2S_4よりも約11.5倍高かった。さらに,ESR,XPS,および蛍光分光法は,Zn側へのγ線放射線導入表面S空格子点の証拠を与えた。DFT計算は,表面S空孔がH_2O吸着とH_2脱着を加速することを示した。にもかかわらず,より高い照射エネルギー(>40kGy)は,よりバルクの空孔を生成し,より低いH_2発生活性をもたらす。したがって,γ線照射はZnIn_2S_4上の表面S空孔の調節に有益であり,それによって光触媒H_2発生効率を改善する。本研究は,γ線放射線誘起表面空孔の詳細な理解と,効率的な活性をもつ光触媒の表面欠陥を制御する合理的なインスピレーションを提供する。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *γ線 ,  *γ線照射 ,  吸着 ,  脱着 ,  電子構造 ,  酸化物 ,  放射線 ,  硫化物 ,  活性部位 ,  可視光 ,  密度汎関数法 ,  *光触媒 ,  水素発生反応 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *水素発生 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光化学反応  (CB08020F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 増強 ,  光触媒 ,  水素発生 ,  γ線