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J-GLOBAL ID：202202267913594970   整理番号：22A0217368

プレセラミックポリマから作製した導電性シリコンオキシカーバイド薄膜【JST・京大機械翻訳】

Electrically conductive silicon oxycarbide thin films prepared from preceramic polymers

著者 (5件)： Ricohermoso Emmanuel III (Fachbereich Material- und Geowissenschaften, Technische Universitaet Darmstadt, Darmstadt, Germany) ,  Klug Florian (Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik, Technische Universitaet Darmstadt, Darmstadt, Germany) ,  Schlaak Helmut (Fachbereich Elektrotechnik und Informationstechnik, Technische Universitaet Darmstadt, Darmstadt, Germany) ,  Riedel Ralf (Fachbereich Material- und Geowissenschaften, Technische Universitaet Darmstadt, Darmstadt, Germany) ,  Ionescu Emanuel (Fachbereich Material- und Geowissenschaften, Technische Universitaet Darmstadt, Darmstadt, Germany)
資料名： International Journal of Applied Ceramic Technology  (International Journal of Applied Ceramic Technology)
巻： 19  号： 1  ページ： 149-164  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1929A  ISSN： 1546-542X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,シリコンオキシカーバイド薄膜調製とキャラクタリゼーションに焦点を当てた。実験計画法のTaguchi法を用いて膜堆積プロセスを最適化した。厚さ500nmの作製したセラミック薄膜を,それらの形態,組成,および電気的性質に関して特性評価した。セラミック薄膜の調製に用いた前セラミックポリマーの分子構造と得られたSiOCの熱機械的特性はセラミック膜の品質に大きく影響した。このように,炭素の含有量の増加は,亀裂のない薄膜の調製に有益であった。得られたセラミック膜は,類似の化学組成のモノリシックSiOCと比較して,電気伝導率の増加を示した。これは,主に高度に黒鉛化した炭素とSiCから成る大きな酸素欠乏粒子を含むSiOC膜のユニークな階層的微細構造と相関し,酸素含有非晶質マトリックス中に均一に分散した。マトリックスは遊離炭素を含み,高導電性大粒子間の電荷キャリア輸送に寄与することを示した。セラミック薄膜は5.4から8.8S/cmの範囲の電気伝導率を有し,小型化圧電抵抗歪ゲージにおける実装に適している。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 亀裂 ,  最適化 ,  *セラミック ,  電気伝導率 ,  *薄膜 ,  酸素 ,  炭素 ,  炭化ケイ素 ,  小型化 ,  非晶質 ,  セラミック膜 ,  *導電性
準シソーラス用語： *シリコンオキシカーバイド ,  遊離炭素 ,  セラミック薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 電気伝導率 ,  高分子由来セラミック ,  薄膜

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (5件)： プレセラミックポリマ ,  作製 ,  導電性 ,  シリコンオキシカーバイド ,  薄膜