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J-GLOBAL ID:202202267984801728   整理番号:22A0396307

輝度ロバスト性を強化するための非キャリア注入マイクロLEDにおける広い動作電圧窓の達成【JST・京大機械翻訳】

Achieving Wide Operating Voltage Windows in Non-Carrier Injection Micro-LEDs for Enhancing Luminance Robustness
著者 (9件):
資料名:
巻: 69  号:ページ: 212-215  発行年: 2022年 
JST資料番号: C0222A  ISSN: 0018-9383  CODEN: IETDAI  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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マイクロLEDの輝度は注入電流密度に大きく依存するので,避けられない電圧変動は輝度変動と弱い輝度ロバスト性をもたらす。本研究では,非電気接触と非キャリア注入(NECとNCI)モードで動作するマイクロLEDチップを提案し,電流注入モードと完全に異なる。NECとNCI Micro-LEDの輝度は,電圧の増加とともにまず増加し,飽和輝度は,動作電圧窓として定義される比較的大きい電圧範囲で得ることができる。次に,電圧がさらに増加するとき,輝度は減少した。動作電圧窓が輝度ロバスト性を強化することができることを実証した。最後に,動作電圧窓に対して重要な絶縁層を最適化した。また,動作電圧窓の存在に関連する作動機構を論じた。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
表示機器  ,  発光素子  ,  トランジスタ 

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