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J-GLOBAL ID：202202268459403848   整理番号：22A0779726

UIS応力下のGaN Eモードデバイスにおけるエネルギー損失の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Energy Loss in GaN E-Mode Devices Under UIS Stresses

著者 (7件)： Sun Ruize (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Lai Jingxue (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Liu Chao (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Chen Wanjun (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Chen Yiqiang (Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory, The Fifth Electronics Research Institute of the Ministry of Industry and Information Technology, Guangzhou, China) ,  Li Zhaoji (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Zhang Bo (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 37  号： 6  ページ： 6711-6719  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,非クランプ誘導スイッチング(UIS)応力下のGaN増強モード(Eモード)デバイスのエネルギー損失E_lossを解析した。デバイスのための直列のR_SとC_Sの二次回路解析と等価回路モデルに基づいて,解析モデルを,デバイス電流と電圧の間のE_loss,R_S,および時間シフトΔtの間の定量的関係で開発した。E_lossの起源と物理的機構を,技術コンピュータ支援設計(TCAD)シミュレーションの助けを借りて明らかにした。アクセプタトラップの動的トラッピングと脱トラッピングによるデバイスの電荷の不均衡は,R_SとE_lossの起源である。エネルギー準位と密度アクセプタトラップの種々の構成の下で,物理的機構を電子と変位電流のシミュレーションで考察した。結果は,E_T<E_V+0.5eVの比較的浅いエネルギー準位でのアクセプタトラップの適切な量が,UISストレス下でのGaNデバイスのE_lossを下げるのに重要であることを示した。提案した解析モデルを用いた計算結果は測定データとよく一致した。本論文は,UISストレス下のフィールド応用におけるGaN Eモードデバイスのデバイス挙動を解析し,エネルギー損失を推定するための実用的モデルと物理的機構を提供する。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アクセプタ ,  エネルギー準位 ,  *エネルギー損失 ,  シミュレーション ,  電圧 ,  電流 ,  CAD【計算機】 ,  回路解析 ,  モデル ,  *窒化ガリウム ,  解析モデル
準シソーラス用語： 変位電流 ,  TCAD ,  トラッピング ,  等価回路モデル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 応力 ,  GaN ,  エネルギー損失 ,  解析