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J-GLOBAL ID：202202268973547881   整理番号：22A0358111

高性能ピエゾエレクトロニックMEMSアクチュエータ用のSmドープPb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃薄膜のスパッタエピタクシー

Sputter Epitaxy of Sm-Doped Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃ Thin Film on Si for High-Performance Piezoelectric MEMS Actuator

著者 (3件)： QI Xuanmeng (Tohoku Univ.) ,  YOSHIDA Shinya (Tohoku Univ.) ,  TANAKA Shuji (Tohoku Univ.)
資料名： センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム(CD-ROM)  (センサ・マイクロマシンと応用システムシンポジウム論文集(CD-ROM))
巻： 36th  ページ： ROMBUNNO.20am2-LN2-75  発行年： 2019年11月12日 
JST資料番号： X0768B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *アクチュエータ ,  *圧電素子 ,  MEMS ,  チタン酸鉛 ,  *ニオブ酸塩 ,  *マグネシウム化合物 ,  *鉛化合物 ,  気相成長
準シソーラス用語： MEMSデバイス ,  *ピエゾ・アクチュエータ ,  *マグネシウムニオブ酸鉛 ,  気相エピタクシー

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高性能 ,  MEMS ,  アクチュエータ ,  Sm ,  ドープ ,  Pb ,  薄膜