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J-GLOBAL ID：202202269334415972   整理番号：22A0637265

2%以上の外部量子効率を持つ超小型5μm 2607nm InGaN Amberマイクロ発光ダイオードの実証【JST・京大機械翻訳】

Demonstration of ultra-small 5 × 5 μm2 607 nm InGaN amber micro-light-emitting diodes with an external quantum efficiency over 2%
著者 (12件)：
Li Panpan

Li Panpan について

(Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA)

Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA について

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Li Hongjian

Li Hongjian について

(Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA)

Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA について

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Yang Yunxuan

Yang Yunxuan について

(Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA)

Department of Electrical and Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA について

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Zhang Haojun

Zhang Haojun について

(Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA)

Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA について

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Shapturenka Pavel

Shapturenka Pavel について

(Department of Chemical Engineering, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA)

Department of Chemical Engineering, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA について

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Wong Matthew

Wong Matthew について

(Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA)

Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA について

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Lynsky Cheyenne

Lynsky Cheyenne について

(Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA)

Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA について

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Iza Mike

Iza Mike について

(Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA)

Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA について

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Gordon Michael J.

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(Department of Chemical Engineering, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA)

Department of Chemical Engineering, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA について

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Speck James S.

Speck James S. について

(Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA)

Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA について

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Nakamura Shuji

Nakamura Shuji について

(Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA)

Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA について

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DenBaars Steven P.

DenBaars Steven P. について

(Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA)

Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106, USA について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 120  号： 4  ページ： 041102-041102-4  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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10×10μm2未満の赤色マイクロサイズの発光ダイオード(μLED)は,拡張現実感(AR)とバーチャルリアリティ(VR)応用にとって重要である。しかし,このような小さなサイズの通常のAlInGaP赤色μLEDは外部量子効率の劇的な減少に悩まされているので,それらは非常に挑戦的なままである。本研究では,InGaN材料を用いた超小型5×5μm2607nmアンバーμLEDを実証し,それは2%以上のEQEと-5Vでの10-9Aの超低逆電流を示した。この実証は,ARとVRディスプレイのための超小型InGaNμLEDの有望な結果を示唆する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*発光ダイオード

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アンバ

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*インジウム化合物

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表示装置

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*量子効率

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バーチャルリアリティ

バーチャルリアリティ について

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拡張現実感

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準シソーラス用語：
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*InGaN

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*外部量子効率

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分類 (2件)：
分類
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発光素子 
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(NC03084O)

太陽電池 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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InGaN

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発光ダイオード

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実証

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