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J-GLOBAL ID:202202269526322762   整理番号:22A0478327

複雑なトポロジー基板上の物理蒸着の原子論的モデリング【JST・京大機械翻訳】

Atomistic modeling of physical vapor deposition on complex topology substrates
著者 (4件):
資料名:
巻: 203  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0443A  ISSN: 0927-0256  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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Cu物理蒸着の分子動力学シミュレーションを用いて,Cu基板上の薄膜合成に及ぼす基板トポロジーと視線の影響を調べた。スパッタリングCuイオンの堆積と表面緩和プロセスを,種々の入射角(60°)とスパッタリングエネルギー(1,10,25,および50eV)を考慮してシミュレートした。Cu基板は3つの異なる表面形状:i)平坦なCu(111)表面;ii)127.6Åの周期と振幅20Åの正弦波形基板;iii)平面Cu(111)面と半径63.8Åの円筒からなる複合基板,平坦面上50Åの浮遊。低衝撃エネルギー(1eV)によるシミュレーションの結果は,平面上に生成した薄膜の粗さに及ぼす入射角の強い影響を示した。非平坦基板では,視線のない領域は膜被覆率を低下させ,それは堆積エネルギーを増加させることによって相殺される。高エネルギー原子はより大きな吸着原子移動度を持ち,視線のない領域の被覆と表面粗さの減少を可能にした。結果は,高い堆積角度での高エネルギー堆積に対する低い付着確率を示し,粒子誘起スパッタリングにより増大した物理的再堆積過程を通して,視線のない領域における膜被覆を効果的に促進する。これらの原子論的洞察は,メタマテリアル格子上のマグネトロンスパッタリングのような畳み込みトポロジー基板上の物理蒸着プロセスの理解に関連する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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金属薄膜 
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