文献

J-GLOBAL ID：202202270534062945   整理番号：22A1032795

金属-半導体界面を有するダンベル型グラフェンナノリボンのElectron輸送特性に対する引張歪の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of Tensile Strain on Electron Transport Properties of Dumbbell-Shape Graphene Nanoribbons With Metallic-Semiconducting Interfaces

著者 (3件)： Suzuki Ken (Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Zhang Qinqiang (Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Qiao Xiangyu (Tohoku University, Sendai, Japan)
資料名： ASME Conference Proceedings  (ASME Conference Proceedings)
号： IMECE2021  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0478C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,密度汎関数理論(DFT)に基づく第一原理計算を行い,ダンベル型グラフェンナノリボン(DS-GNRs)の電子輸送特性と,DS-GNRの両端における狭いセグメントと構造におけるGNRの基本構造の組み合わせの強い関数としてのそれらの歪依存性を詳細に解析した。次に,DS-GNRsの電流-電圧特性(I-V特性)と軌道分布を調べ,高感度DS-GNRベース歪センサを開発した。2つのGNRを金属および半導体電子特性と組み合わせることにより,無視できない遷移層(勾配Schottky障壁)が接合近傍に形成された。遷移層の長さは炭素原子の6員環であった。この遷移層の形成は,DS-GNRにおける広いセグメントから狭いセグメントへの波動関数の滲出に起因すると考えられる。金属-半導体界面を有するDS-GNRにおいて,電子輸送特性の歪依存性は過渡的Schottky障壁の存在により非常に複雑であった。一方,2つの金属GNRから成るDS-GNRでは,Schottky障壁と遷移層が消失し,単一GNRのそれらに近い安定な電流-電圧とピエゾ抵抗特性が観察された。DS-GNRの予測ゲージ係数は,従来の金属箔(ゲージ因子2~5)のそれより大きく,従来のポリシリコン(ゲージ因子±30)のそれに近かった。これらの結果は,DS-GNRsが高感度かつ信頼性のある歪センサを生成する可能性を有することを示した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Schottky障壁 ,  電圧 ,  電流 ,  波動関数 ,  *半導体 ,  電流電圧特性 ,  依存性 ,  計算 ,  ゲージ ,  密度汎関数法 ,  ポリシリコン
準シソーラス用語： 圧電抵抗 ,  *輸送特性 ,  歪依存性 ,  第一原理計算 ,  *引張歪 ,  *グラフェンナノリボン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 金属-半導体界面 ,  ダンベル ,  グラフェンナノリボン ,  輸送特性 ,  引張歪