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J-GLOBAL ID：202202270760175315   整理番号：22A0950049

相互キャリブレーション法による極薄酸化膜の厚さ測定に関するレビュー【JST・京大機械翻訳】

Review on the thickness measurement of ultrathin oxide films by mutual calibration method

著者 (1件)： Kim Kyung Joong (Surface Analysis Team, Korea Research Institute of Standards and Science, Daejeon, South Korea)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 54  号： 4  ページ： 405-416  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相互キャリブレーションを,超薄酸化膜の絶対厚さを決定する方法として示唆した。2004年のSi(100)とSi(111)基板上のSiO_2膜の厚さ測定に対する,サブスタンス(CCQM)パイロット研究P-38の衝突委員会における報告された厚さにおける大きなオフセット値から動機づけられた。0.5~1.0nmの大きなオフセット値を偏光解析法,X線反射率測定(XRR),中エネルギーイオン散乱分光法(MEIS),Rutherford後方散乱分光法(RBS),核反応分析(NRA),および透過電子顕微鏡(TEM)によって,厚さで報告した。”X線回折(XRR),中-エネルギーイオン散乱分光法(MEIS),Rutherford後方散乱分光法(RBS),核反応分析(NRA),および透過型電子顕微鏡(TEM)。しかし,X線光電子分光法(XPS)による厚さに対するオフセット値はゼロ(-0.013nm)に近かった。これらの結果から,TEMとXPSの組み合わせによるSi(100)上のSiO_2膜の厚さ測定に対して相互キャリブレーション法を報告した。相互較正法をAl_2O_3とHfO_2のようなヘテロ酸化物膜の厚み測定に適用した。最近,表面汚染の影響は,XPSによるHfO_2膜の厚さ測定に重要であることが報告されている。一方,MEISは,表面汚染に影響されない強力なゼロオフセット法であることが判明した。結果として,Si(100)基板上のHfO_2膜の厚さ測定に対するCCQMパイロット研究P-190における参照厚さを,平均XRRデータとMEIS分析からの相互キャリブレーション法により決定した。結論として,超薄酸化膜の厚みは,相互キャリブレーション法によって痕跡に保証でき,ほとんどの厚さ測定法は,保証された厚さから較正できる。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  厚み測定 ,  基板 ,  汚染 ,  酸化物 ,  *酸化膜 ,  パイロット試験 ,  偏光解析法 ,  平均値 ,  Rutherford散乱分光法 ,  イオン散乱分光法 ,  X線光電子分光法 ,  核反応分析 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： 表面汚染 ,  X線反射率法 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： CCQM SAWG ,  MEIS ,  相互キャリブレーション ,  厚み測定 ,  極薄酸化物

分類 (3件)： 無機化合物の物理分析  (CC03024P) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： キャリブレーション ,  酸化膜 ,  厚さ測定 ,  レビュー