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J-GLOBAL ID：202202270791707192   整理番号：22A0150327

二重面イオン注入による半絶縁性4H-SiC基板に基づくp-i-n放射線検出器の開発【JST・京大機械翻訳】

Development of p-i-n radiation detectors based on semi-insulating 4H-SiC substrate via dual-face ion implantation

著者 (8件)： Yang Qunsi (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, and School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Liu Qing (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, and School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Xu Weizong (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, and School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Zhou Dong (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, and School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Ren Fangfang (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, and School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Zhang Rong (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, and School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Zheng Youdou (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, and School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China) ,  Lu Hai (Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, and School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093, China)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 187  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 放射線検出器応用のための半絶縁(SI)SiC基板の可能性を探るために,厚い空乏層を有するp-i-nダイオードを,SI4H-SiC基板上に2面イオン注入技術を用いて製作した。Poole-Frenkel(P-F)発光は,高温でのp-i-nダイオードの逆漏れ電流輸送の原因であることが分かった。導出した発光障壁の高さは,残留ホウ素関連浅い準位状態によって誘起され,価電子帯の最上部より約0.3eVに位置する。α粒子の検出試験を,p-i-n検出器の各側で行い,高温ポスト注入アニーリング後のSI4H-SiC基板の弱いp型伝導を明らかにした。光起電力モードで動作する検出器のエネルギー分解能は~4.3%で,より高いバイアスで劣化する。5.48MeVのα粒子の検出に対して~99%の飽和電荷収集効率(CCE)が80Vを超える逆バイアスとして得られた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： α粒子 ,  高温 ,  光起電力 ,  焼なまし ,  ダイオード ,  発光 ,  *放射線検出器 ,  *イオン注入 ,  *炭化ケイ素 ,  価電子バンド ,  空乏層 ,  浅い準位
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  逆バイアス ,  電流輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： P-i-n ,  放射線検出器 ,  4H-SiC基板イオン注入

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  半絶縁性 ,  4H-SiC ,  放射線検出器 ,  開発