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J-GLOBAL ID：202202271134750752   整理番号：22A0856765

電子注入の抑制によるp型有機電界効果トランジスタのバイアスストレス安定性の改善【JST・京大機械翻訳】

Improving bias-stress stability of p-type organic field-effect transistors by suppressing electron injection

著者 (12件)： Guo Chunhua (Department of Physics, School of Physics and Astronomy, Yunnan University, Kunming, China) ,  Yang Zhenxin (Department of Physics, School of Physics and Astronomy, Yunnan University, Kunming, China) ,  Qin Lingping (Department of Physics, School of Physics and Astronomy, Yunnan University, Kunming, China) ,  Man Jiaxiu (Department of Physics, School of Physics and Astronomy, Yunnan University, Kunming, China) ,  Zhang Tao (Department of Physics, School of Physics and Astronomy, Yunnan University, Kunming, China) ,  Wang Deng-Ke (Department of Physics, School of Physics and Astronomy, Yunnan University, Kunming, China) ,  Wang Deng-Ke (National Center for International Research on Photoelectric and Energy Materials, Yunnan University, Kunming, China) ,  Lu Zheng-Hong (Department of Physics, School of Physics and Astronomy, Yunnan University, Kunming, China) ,  Lu Zheng-Hong (National Center for International Research on Photoelectric and Energy Materials, Yunnan University, Kunming, China) ,  Lu Zheng-Hong (Department of Materials Science and Engineering, University of Toronto, Toronto, Canada) ,  Zhu Qiang (Department of Physics, School of Physics and Astronomy, Yunnan University, Kunming, China) ,  Zhu Qiang (National Center for International Research on Photoelectric and Energy Materials, Yunnan University, Kunming, China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33  号： 7  ページ： 3726-3737  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bias-応力不安定性は挑戦的な問題であり,有機電界効果トランジスタ(OFET)の実用化を厳しく妨げている。本研究では,広いバンドギャップの有機半導体を有するソース/ドレイン電極を修飾することにより,p型OFETのバイアス-応力安定性を改善する普遍的な戦略を示した。戦略において,タイプIエネルギーレベルアラインメントを有機/有機界面で確立した。広いバンドギャップ半導体の高い最低非占有分子軌道(LUMO)のおかげで,金属電極/有機半導体界面での界面障壁は上昇し,それによってドレイン電極から有機半導体チャネルへの電子注入を抑制した。p型OFETのバイアス応力不安定性は,有機半導体固体膜における電子注入誘起正孔中和に起因する。界面障壁を増加させることにより,正孔中和は電子注入の抑制により容易になり,従って,OFETのバイアス-応力安定性,例えば,閾値電圧シフトの除去,および長期デバイス操作下での動作電流減衰の抑制,が改良された。エネルギーレベルアラインメントおよび界面電子注入障壁に対する正孔中和およびバイアス-応力安定性の動力学を定量的に解析するために,一連の物理モデルを提案した。界面障壁を横切る電子注入がFowler-Nordheimトンネリング理論に従うことを明らかにした。電極修飾のための高いLUMOを有するワイドバンドギャップ有機半導体を用いることによって,電子注入効率を効果的に減らし,それによって,p型OFETのバイアス-応力安定性を著しく改良することができた。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アラインメント ,  界面 ,  正孔 ,  電流 ,  トンネル効果 ,  半導体 ,  *有機半導体 ,  電極 ,  *キャリア注入 ,  LUMO ,  中性化 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *電子注入 ,  *有機FET ,  金属電極 ,  閾値電圧シフト , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電子注入 ,  有機電界効果トランジスタ ,  バイアス ,  ストレス ,  安定性