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J-GLOBAL ID：202202271861221706   整理番号：22A0779140

シリコンアバランシェフォトダイオードの電荷収集効率に対する照射損傷の影響【JST・京大機械翻訳】

The Effect of Radiation Damage on the Charge Collection Efficiency of Silicon Avalanche Photodiodes

著者 (5件)： Zedric Robert M. (Department of Nuclear Engineering, Center for Nuclear Security Science and Policy Initiatives, Texas A&M University, College Station, TX, USA) ,  Marianno Craig M. (Department of Nuclear Engineering, Center for Nuclear Security Science and Policy Initiatives, Texas A&M University, College Station, TX, USA) ,  Chirayath Sunil S. (Department of Nuclear Engineering, Center for Nuclear Security Science and Policy Initiatives, Texas A&M University, College Station, TX, USA) ,  Diawara Yacouba (Spallation Neutron Source, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN, USA) ,  Darby Iain (School of Physics and Astronomy, University of Glasgow, Glasgow, U.K)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 69  号： 2  ページ： 152-159  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アバランシェフォトダイオード(APD)に対する放射効果の理解は,厳しい放射環境を含むいくつかの応用に用いられるので重要である。APDは,速度と検出効率が重要である応用における光センサとして用いられる。市販品外APDの陽子照射実験は,照射フラックスと印加逆バイアスが放射線効果の厳しさに強い影響を持つことを示した。これは,電荷収集効率(CCE)がデバイスからの信号応答を記述するイオンビーム誘起電荷(IBIC)技術を用いて測定される。CCEは放射損傷により実質的に分解できるが,最近の測定は,照射フラックスと逆バイアスの特定の組合せが,6.4×1011cm-2のフルエンスで2MeV陽子による照射に対してCCEを186%±24%まで増加させることを示した。この欠陥増強電荷増倍(DECM)は,照射中の逆バイアスが2000Vの最大動作バイアスから170から1830Vまでの範囲で現れ,プロトン流束は9.8x107から3.4x109cm-2s-1の範囲であった。どちらの範囲外の値がCCEの損失につながった。DECMは,他のデバイス,特に衝撃イオン化を引き起こすために十分に高い電場を有するもの,で遭遇するべきであると予想される。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオンビーム ,  *照射損傷 ,  *電荷 ,  電場 ,  放射線効果 ,  陽子 ,  陽子照射 ,  *ケイ素 ,  衝突イオン化 ,  バイアス ,  検出効率 ,  *アバランシェフォトダイオード ,  光センサ ,  フルエンス
準シソーラス用語： 逆バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  アバランシェフォトダイオード ,  電荷収集効率 ,  照射損傷