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J-GLOBAL ID：202202271929765938   整理番号：22A0854485

4ポート非対称デバイスのキャラクタリゼーションのための2ポートデエンベディング技術の適用性に関する経験的研究【JST・京大機械翻訳】

Empirical Study on the Applicability of Two-Port Deembedding Techniques for Characterization of Four-Port Asymmetric Devices

著者 (3件)： Maier Martin (Technische Universitaet Braunschweig,Hans-Sommer-Stras&e 66,Braunschweig,Germany,D-38106) ,  Wojnowski Maciej (Infineon Technologies AG,Am Campeon 1-15,Neubiberg,Germany,D-85579) ,  Issakov Vadim (Technische Universitaet Braunschweig,Hans-Sommer-Stras&e 66,Braunschweig,Germany,D-38106)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022  号： SiRF  ページ： 85-87  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 差動デバイスの正確なオンウエハキャラクタリゼーションは,4ポートエラーネットワークのマルチモードデ埋込みを含むので,課題を提起する。以前の研究では,無視できるモード変換の仮定の下で,微分と共通モードを分離できることを示した。従って,1つは,4×4モードSパラメータ行列2×2象限から抽出でき,微分および共通モード特性に対応した。1つは,等価2ポートネットワークとしてこれらの象限を処理でき,古典的2ポート脱埋込み技術を適用する。この仮定を対称デバイスで検証した。しかし,このアプローチの実用可能性限界はまだ調べられていない。したがって,本研究では,非対称ネットワークに対するモード分離法を実験的に調べた。これは,高結合比または変圧器を有する伝送線路ベースの非対称結合器のような非対称デバイスの特性評価のために必要とされる。一例として,28nmのバルクCMOS技術で実現したデバイス・アンダー・テスト(DUT)としてオンチップ変圧器を特性化した。いくつかの非対称および対称脱埋込み構造を同じプロセスで作製した。Thru-Line(TL)およびThru-Open(TO)技術と組み合わせたモード分離アプローチを,対称および非対称脱埋込み基準に適用することにより,比較研究を行った。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *対称性 ,  変圧器 ,  ネットワーク ,  結合器 ,  モード変換 ,  *非対称性 ,  微分 ,  伝送線路 ,  四端子回路 ,  *ポート ,  多モード ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： Sパラメータ ,  オンチップ ,  CMOS技術 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 音声処理  (JE05000E) ,  符号理論  (ND02030R) ,  専用演算制御装置  (JC04030Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： ポート ,  非対称 ,  キャラクタリゼーション ,  適用性 ,  経験 ,  研究