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J-GLOBAL ID：202202272068948101   整理番号：22A0630298

垂直オフAlGaN/GaN-HFETのゲート構造を含むZnドープGaN【JST・京大機械翻訳】

Zn-Doped GaN Comprising the Gate Structure of Normally Off AlGaN/GaN-HFETs

著者 (3件)： Ito Norikazu (Research and Development Center, Rohm Co., Ltd., Kyoto, Japan) ,  Tanaka Taketoshi (Research and Development Center, Rohm Co., Ltd., Kyoto, Japan) ,  Nakahara Ken (Research and Development Center, Rohm Co., Ltd., Kyoto, Japan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 43  号： 2  ページ： 192-195  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnドープGaN(GaN:Zn)から成るメサゲート構造は,Si基板上に成長したAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)の通常オフ動作を可能にした。バックゲート構造トランジスタを作製し,GaNのエネルギーバンド内のZn(E_T)のエネルギーレベルを推定した。試験装置は,背面ゲートとして作動するSiウエハ上のAlGaN,GaN,GaN:Zn,およびバッファ層から成る。負のバイアスをゲートに適用した後に電流過渡を測定した。この実験から,E_T-E_V=0.32eVは,E_VがGaNの価電子帯最大値であり,Fermi準位がp型材料と同様にE_vに近いことを意味する。このように,Zn濃度1.2x10SiW19Ωcm-3のメサ形状ゲート構造を備えたトランジスタは,ドレイン電流(i_d)10μAmm-1で+0.5Vのゲートソース電圧(V_gs)とi_d=10nAmm-1でもV_gs>0Vを達成した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電圧 ,  電流 ,  トランジスタ ,  *亜鉛 ,  FET【トランジスタ】 ,  *アルミニウム化合物 ,  Fermi準位 ,  *ドーピング ,  素子構造 ,  価電子バンド ,  *窒化ガリウム ,  *ゲート【半導体】 ,  バッファ層
準シソーラス用語： バックゲート ,  ヘテロ構造 ,  ドレイン電流 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 垂直 ,  オフ ,  AlGaN ,  GaN ,  HFET ,  ゲート ,  Zn ,  ドープ