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J-GLOBAL ID：202202272528855223   整理番号：22A0924743

Er_2O_3/Al_2O_3の二層誘電体を有する垂直オフ水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Normally-off hydrogen-terminated diamond field effect transistor with a bilayer dielectric of Er₂O₃/Al₂O₃

著者 (18件)： Chang Chengdong (Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, Shaanxi Province, China) ,  Chang Chengdong (Key Lab for Physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Chen Genqiang (Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, Shaanxi Province, China) ,  Chen Genqiang (Key Lab for Physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Shao Guoqing (Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, Shaanxi Province, China) ,  Shao Guoqing (Key Lab for Physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Wang Yanfeng (Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, Shaanxi Province, China) ,  Wang Yanfeng (Key Lab for Physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Zhang Minghui (Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, Shaanxi Province, China) ,  Zhang Minghui (Key Lab for Physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Su Jianing (Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, Shaanxi Province, China) ,  Su Jianing (Key Lab for Physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Lin Fang (Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, Shaanxi Province, China) ,  Lin Fang (Key Lab for Physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Wang Wei (Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, Shaanxi Province, China) ,  Wang Wei (Key Lab for Physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China) ,  Wang Hong-Xing (Institute of Wide Band Gap Semiconductors, Shaanxi Key Lab of Information Photonic Technique, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, Shaanxi Province, China) ,  Wang Hong-Xing (Key Lab for Physical Electronics and Devices, Ministry of Education, Xi’an Jiaotong University, Xi’an 710049, China)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 123  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Er_2O_3/Al_2O_3二層誘電体を有する通常オフ水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタを作製した。誘電材料Er_2O_3とAl_2O_3を高周波スパッタリングと原子層堆積を用いてそれぞれH-ダイヤモンド表面に堆積した。デバイスの閾値電圧は-20VのV_DSで-0.49Vであり,これは,Er_2O_3の低い仕事関数と非晶質Er_2O_3の極性特性に起因することを示した。6μmゲート長を有する水素終端ダイヤモンド電界効果トランジスタの最大ドレイン源電流は-16.1mA/mmであり,シートキャリア密度は1.08×1013cm-2であった。最大有効正孔移動度は110.47cm2/V_sであり,界面トラップ電荷密度は3.16×1012eV-1cm-2であった。Er_2O_3/Al_2O_3のこの二層誘電体は,通常オフダイヤモンドデバイスの作製のための代替計画を提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  仕事関数 ,  電圧 ,  電流 ,  *誘電体 ,  *ダイヤモンド ,  *FET【トランジスタ】 ,  非晶質 ,  誘電材料 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： 電荷密度 ,  ゲート長 ,  *水素終端 ,  界面トラップ ,  閾値電圧 ,  正孔移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ダイヤモンド ,  Er_2O_3 ,  電界効果トランジスタ ,  水素終端 ,  ノーマリーオフ手術

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 二層 ,  誘電体 ,  垂直 ,  オフ ,  水素終端 ,  ダイヤモンド ,  電界効果トランジスタ