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J-GLOBAL ID：202202272547788912   整理番号：22A0886482

熱蒸着により作製したCu/p-SnSe薄膜に基づく感光性Schottky障壁ダイオード【JST・京大機械翻訳】

Photosensitive Schottky barrier diodes based on Cu/p-SnSe thin films fabricated by thermal evaporation

著者 (7件)： Jagani Hirenkumar Shantilal (Thin Film Device Fabrication & Characterisation Laboratory, Department of Physics, Sardar Patel University, Vallabh Vidyanagar, Gujarat 388120, India. [e-mail]) ,  Gupta Shubham Umeshkumar ,  Bhoraniya Karan ,  Navapariya Mayuri ,  Pathak Vivek M. ,  Solanki Gunvant K. ,  Patel Hetal
資料名： Materials Advances  (Materials Advances)
巻： 3  号： 5  ページ： 2425-2433  発行年： 2022年 
JST資料番号： W6469A  ISSN： 2633-5409  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グループIV-VI化合物半導体材料であるセレン化スズ(SnSe)を用いて,メモリスイッチングデバイス,P-N接合ダイオード,Schottky障壁ダイオードなど様々な固体デバイスを作製した。本研究では,Cu/p-SnSe Schottky接合を熱蒸着法により作製した。SnSe電荷をDVT法を用いて成長させ,その後,その膜を熱蒸着プロセスを用いて堆積した。エネルギー分散X線分析(EDAX)は,堆積した薄膜中の元素の化学量論を確認した。X線回折(XRD)を用いてその構造を同定し,斜方晶構造を明らかにした。Raman分光法は振動モードを明らかにしたが,UV-Vis分光法は1.75eVの光学バンドギャップを明らかにした。AFM,SEM,HR-TEMおよびSAEDを用いて構造情報を得た。Cu薄膜をSnSe薄膜上に堆積し,Schottkyデバイスを作製した。Schottkyデバイスパラメータを電流-電圧(I-V)特性に基づいて決定した。照明条件下で,素子性能が改善され,作製したダイオードが適切な感光性を示すことを示した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  化合物半導体 ,  記憶装置 ,  *真空蒸着 ,  *ダイオード ,  電圧 ,  電荷 ,  電流 ,  *薄膜 ,  *銅 ,  スイッチング素子 ,  振動モード ,  接合ダイオード ,  斜方晶系 ,  Raman分光法

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 熱蒸着 ,  作製 ,  Cu ,  薄膜 ,  感光性 ,  Schottky障壁ダイオード