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J-GLOBAL ID：202202272558105325   整理番号：22A0776897

負性容量単一活性層ダブルゲート(NC-SALDG)薄膜トランジスタ(TFT)のサブ閾値特性の研究【JST・京大機械翻訳】

Investigation of Subthreshold Characteristics of Negative Capacitance Single-Active Layer Double-Gate (NC-SALDG) Thin-Film Transistor (TFT)

著者 (4件)： Moparthi Sandeep (Department of ECE, NIT Calicut, Kozhikode, Kerala, India) ,  Lavudi Ramesh (Department of ECE, NIT Calicut, Kozhikode, Kerala, India) ,  Suddapalli Subba Rao (Department of ECE, NIT Warangal, Warangal, Telangana, India) ,  Saramekala Gopi Krishna (Department of ECE, NIT Calicut, Kozhikode, Kerala, India)
資料名： Silicon  (Silicon)
巻： 14  号： 3  ページ： 1309-1314  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4947A  ISSN： 1876-9918  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,初めて,負容量単一活性層二重ゲート(NC-SALDG)TFTの性能評価を行った。提案したNC-SALDG TFTにおいて,非晶質InGaZnO材料を,その増強キャリア移動度および改善された光透過率特性により,活性層として使用した。1D Landau-Khalatnikov(LK)方程式とTCAD数値シミュレーションを結合することにより,NC-SALDG TFTの半解析的モデルを開発した。NC-SALDG TFTのサブ閾値特性を,アルミニウム(Al)ドープHfO_2と種々の強誘電体材料の厚さを変えて解析した。さらに,NC-SALDG TFTの高いON電流,低いOFF電流,およびより良い最小および平均サブ閾値スイングを,その対応物と比較して,AlドープHfO_2材料で観察した。結果から,提案したNC-SALDG TFTは,従来のSALDG TFTよりも優れたサブ閾値性能を示した。ベースラインSALDG TFTをSilvacoからの2D TCADシミュレータAtlasでシミュレートした。Copyright Springer Nature B.V. 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  シミュレーション ,  電流 ,  シミュレータ ,  *薄膜トランジスタ ,  性能指数 ,  非晶質 ,  ドーピング ,  二次元 ,  一次元 ,  *活性層
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  サブ閾値 ,  *二重ゲート ,  TCAD ,  光透過率 ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 単一活性層(SAL) ,  薄膜トランジスタ(TFT) ,  Landau-Khalatnikov(LK)

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 負性容量 ,  活性層 ,  ダブルゲート ,  NC ,  薄膜トランジスタ ,  TFT ,  サブ閾値 ,  研究