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J-GLOBAL ID：202202273177116954   整理番号：22A0891760

Sankaranarayanan-Ramasamyの一方向成長法を用いて成長したTGS結晶の電気抵抗と光電流による相転移の研究【JST・京大機械翻訳】

A study of the phase transition by the electrical resistivity and photocurrent on TGS crystal grown using the unidirectional growth method of Sankaranarayanan-Ramasamy

著者 (7件)： Singaravadivelu S. (Department of Physics, Sri Sivasubramaniya Nadar College of Engineering (Autonomous), Kalavakkam, Tamil Nadu, India) ,  Uthayakumar A. (Post Graduate and Research Department of Physics, Presidency College, Chennai (Autonomous), University of Madras, Chennai, Tamil Nadu, India) ,  Kamalesh T. (Research Center, Sri Sivasubramaniya Nadar College of Engineering (Autonomous), Kalavakkam, Tamil Nadu, India) ,  Karuppasamy P. (Research Center, Sri Sivasubramaniya Nadar College of Engineering (Autonomous), Kalavakkam, Tamil Nadu, India) ,  Chandra Balaji (Research Center, Sri Sivasubramaniya Nadar College of Engineering (Autonomous), Kalavakkam, Tamil Nadu, India) ,  Pandian M. Senthil (Research Center, Sri Sivasubramaniya Nadar College of Engineering (Autonomous), Kalavakkam, Tamil Nadu, India) ,  Ramasamy P. (Research Center, Sri Sivasubramaniya Nadar College of Engineering (Autonomous), Kalavakkam, Tamil Nadu, India)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33  号： 8  ページ： 5763-5775  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここで行った研究は,常誘電および強誘電相における電荷キャリアの電気抵抗率および活性化エネルギーの異方性,Curie温度の確認,およびSankaranarayanan-Ramasamyの一方向成長法を用いて成長したTGS結晶のDC電気抵抗率による相転移の順序の決定についてである。また,本論文では,Curie温度近傍の異常な光電流挙動と,TGS結晶の軸[100],[010]および[001]に沿って起こるCurie温度の光刺激シフトについて報告した。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Curie温度 ,  異方性 ,  活性化エネルギー ,  *光電流 ,  *相転移 ,  *電気抵抗 ,  電気抵抗率 ,  光刺激
準シソーラス用語： 電荷キャリア , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 成長 ,  TGS ,  結晶 ,  電気抵抗 ,  光電流 ,  相転移 ,  研究