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J-GLOBAL ID：202202273250453165   整理番号：22A1156861

金属酸化物半導体素子における高カッパ薄膜堆積技術の従来および新進展の概観【JST・京大機械翻訳】

An overview of conventional and new advancements in high kappa thin film deposition techniques in metal oxide semiconductor devices

著者 (3件)： Devaray Premdass (Department of Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, Universiti Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Hatta Sharifah Fatmadiana Wan Muhammad (Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Universiti Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia) ,  Wong Yew Hoong (Department of Mechanical Engineering, Faculty of Engineering, Universiti Malaya, Kuala Lumpur, Malaysia)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33  号： 10  ページ： 7313-7348  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここ30年間,研究は,デバイス形状がMooreの法則に従って縮小するので,金属酸化物半導体(MOS)デバイスの発展を見た。この装置は,信頼性問題で高電流漏れを持つ二酸化けい素を引き起こす。二酸化けい素の置換として,高k薄膜材料を紹介した。物理蒸着(PVD)と化学蒸着(CVD)は,高k薄膜材料を堆積するのに使用される一般的な堆積法であることが分かった。サブPVDとCVDプロセスの長所と短所をレビューし,議論した。最近の増強技術,すなわち原子層衝撃(ALB)処理,金属ドープ高K誘電体薄膜,ハイブリッド誘電体薄膜,および高K誘電体薄膜スタック法を批判的に分析した。これらの新しい進歩は,将来,MOS集積回路(IC)の長期開発にいくつかの有用な情報を提供する。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 衝撃 ,  *薄膜 ,  誘電体薄膜 ,  信頼性 ,  MOS集積回路 ,  二酸化ケイ素 ,  ドーピング ,  化学蒸着 ,  漏電 ,  物理蒸着 ,  強化
準シソーラス用語： Mooreの法則 ,  原子層 ,  薄膜材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  誘電体測定技術・装置  (BM05020Q) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 金属酸化物 ,  半導体素子 ,  カッパ ,  薄膜 ,  堆積 ,  進展