文献

J-GLOBAL ID：202202273408436321   整理番号：22A0687394

S空孔は光触媒アンモニア合成のためのZ-スキームヘテロ接合から窒素分子への電子注入を促進する【JST・京大機械翻訳】

S vacancies act as a bridge to promote electron injection from Z-scheme heterojunction to nitrogen molecule for photocatalytic ammonia synthesis

著者 (7件)： Zhang Guanhua (Department of Chemistry, College of Chemical Engineering, Zhejiang University of Technology, 18 Chaowang Road, Hangzhou 310014, PR China) ,  Yuan Xinxin (Department of Chemistry, College of Chemical Engineering, Zhejiang University of Technology, 18 Chaowang Road, Hangzhou 310014, PR China) ,  Xie Bo (Department of Chemistry, College of Chemical Engineering, Zhejiang University of Technology, 18 Chaowang Road, Hangzhou 310014, PR China) ,  Meng Yue (Department of Life and Health Sciences, Huzhou College, 313000, Huzhou, China) ,  Meng Yue (School of Life Science, Huzhou University, 759 East Erhuan Road, Huzhou 313000, PR China) ,  Ni Zheming (Department of Chemistry, College of Chemical Engineering, Zhejiang University of Technology, 18 Chaowang Road, Hangzhou 310014, PR China) ,  Xia Shengjie (Department of Chemistry, College of Chemical Engineering, Zhejiang University of Technology, 18 Chaowang Road, Hangzhou 310014, PR China)
資料名： Chemical Engineering Journal  (Chemical Engineering Journal)
巻： 433  号： P3  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0723A  ISSN： 1385-8947  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N_2分子への光生成電子注入の低効率は,ヘテロ接合材料の光触媒アンモニア合成に対する活性の改善を制限する鍵となる問題である。本論文では,硫黄vacancies(BVO/S_V-ZISに富むBiVO_4/ZnIn_2S_4直接Z-スキームヘテロ接合をソルボサーマル法により合成し,光触媒窒素還元反応(pNRR)に用いた。犠牲試薬なしで,アンモニア生成速度は80.6μmol・g-1・h-1に達し,それは,それぞれ,元のBVOとZISのそれより3.5倍と4.5倍高かった。N_2-TPD,XPSおよびDFT計算の結果は,硫黄空孔(S_v)がN_2化学吸着の活性部位であるだけでなく,光生成電子を捕獲し,ヘテロ接合表面上の局所電子構造を変えることを示した。光生成電子はブリッジとしてS_vと共にN_2分子に連続的に移動し,障壁を破壊し,ヘテロ接合上のpNRR中のN_2分子への電子注入の効率を高めた。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  化学吸着 ,  還元 ,  *電子 ,  電子構造 ,  光生成 ,  *酸化還元電位 ,  *アンモニア ,  活性部位 ,  *化学合成 ,  *光化学系 ,  密度汎関数法 ,  *光触媒
準シソーラス用語： *電子注入 ,  ソルボサーマル合成 ,  生成速度 ,  *アンモニア合成 ,  *Z-スキーム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： BiVO_4 ,  ZnIn_2S_4 ,  Z-スキームヘテロ接合 ,  硫黄空孔(S_v) ,  光触媒窒素還元反応(pNRR)

分類 (1件)： 光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (8件)： 空孔 ,  光触媒 ,  アンモニア合成 ,  Z-スキーム ,  ヘテロ接合 ,  窒素分子 ,  電子注入 ,  促進