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J-GLOBAL ID：202202273524478405   整理番号：22A0976427

不揮発性メモリデバイスに向けたシステイン官能化WS_2量子ドットにおける負性微分抵抗を伴う抵抗スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Resistive Switching Accompanied by Negative Differential Resistance in Cysteine-Functionalized WS₂ Quantum Dots toward Nonvolatile Memory Devices

著者 (8件)： Chen Yu-Ting (Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Chung Yuan Christian University, Taiwan) ,  Santiago Svette Reina Merden S. (Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Chung Yuan Christian University, Taiwan) ,  Sharma Sonia (Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Chung Yuan Christian University, Taiwan) ,  Wu Chii-Bin (Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Chung Yuan Christian University, Taiwan) ,  Chou Chih-Lung (Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Chung Yuan Christian University, Taiwan) ,  Chang Sheng Hsiung (Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Chung Yuan Christian University, Taiwan) ,  Chiu Kuan-Cheng (Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Chung Yuan Christian University, Taiwan) ,  Shen Ji-Lin (Department of Physics and Centre for Nanotechnology, Chung Yuan Christian University, Taiwan)
資料名： ACS Applied Nano Materials  (ACS Applied Nano Materials)
巻： 5  号： 2  ページ： 2250-2257  発行年： 2022年 
JST資料番号： W5033A  ISSN： 2574-0970  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗スイッチング(RS)と負の微分抵抗(NDR)の共存は,NDRがRSデバイスにおけるマルチレベル貯蔵の実現に有益であるため,多くの注目を集めている。しかし,メモリデバイスに適した半導体量子ドット(QD)に対するNDRとRSの共存に関する報告はない。ここでは,システイン官能化WS_2QDsに基づくNDR効果によるRS挙動を実証した。完全電圧掃引サイクルの間,単極スイッチングを有する特異な対称I-Vループを観測した。NDR効果は電圧走査速度を変えることによって調整でき,ピーク対谷比は9.85に達した。RSを伴うNDR挙動を説明するために,トンネル輸送とキャリアトラッピングに基づくモデルを提案した。RSとNDRの再現性を周囲条件下で100回の掃引後に評価し,約104の安定で高いオンオフ抵抗比の証拠を得た。本研究は,システイン官能化WS_2QDsに基づく不揮発性メモリデバイスを実装するための実行可能な方法を開始する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  スイッチング ,  対称性 ,  電圧 ,  *負性抵抗 ,  *不揮発性メモリ ,  *官能化 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： *微分抵抗 ,  *負性微分抵抗 ,  走査速度 ,  マルチレベル ,  トラッピング ,  *抵抗スイッチング ,  半導体量子ドット , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 抵抗スイッチング ,  負性微分抵抗 ,  WS_2 QD ,  記憶装置 ,  アミン官能化QD

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 不揮発性メモリ ,  システイン ,  官能化 ,  量子ドット ,  負性微分抵抗 ,  抵抗スイッチング